硫化物蒸着膜を用いたCuInS_2薄膜太陽電池の製作
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概要
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従来はCu/In積層膜に硫化処理を施すことによりCuInS_2薄膜の製作を行ってきた。しかし、この膜は基板であるMoとの密着性に問題があった。本研究では、Inの代わりにIn_2S_3を用いてCuInS_2薄膜の製作を行い基板との密着性の改善をはかった。またこの膜を太陽電池に応用したところ、従来の膜と比較して、変換効率は大差なく(約10%)、F.F.において0.63から最高0.70程度に向上した。さらに良質な膜を得るために、蒸着時の膜におけるCu/In比の操作を行い、現在までに変換効率で最高10.6%が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-05-21
著者
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