GaAs等の化合物半導体表面のよう素処理の効果
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概要
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CdI_2およびNH_4Iによる表面処理をおこなったGaAsを光電子分光法により分析した。NH_4I処理はGaAs表面の酸化膜を除去するとともによう素に関連する膜を表面に形成する。Ga3d準位のケミカルシフトからGaAs表面にはGaのよう化物があることがわかった。さらに、よう素処理をおこなったGaAsについて、真空中で約300℃の熱処理を行うことにより、よう化物膜が除去できることから、よう素処理は、真空プロセスの前にGaAs清浄表面を得るのに有効なプロセスであると考えられる。CuInS_2表面にCdS膜を形成する際によう化物を用いた場合に太陽電池特性が向上するのもよう素の効果の現われである。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-08-04
著者
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