CuInS_2薄膜へのGa添加
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概要
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Cu/In/Ga金属積層膜に硫化処理を施しCuInS_2薄膜にGaを添加する効果について調べた。Gaの添加量0.01〜0.1とし、硫化処理の昇温行程を変えた。Ga源には金属GaとGaSを用いた。X線回折により、金属Gaを添加してもCuInS_2の格子定数のままであることがわかった。Ga/(In+Ga)=0.01で金属Gaを加えるとやや結晶性が向上していた。XPSによる深さ分析の結果、膜中Ga分布は金属Gaを用いると、膜全体に分布しGaS用いた場合とは異なった。そして、表面にできるとされる突起状結晶がGa添加により抑制されることも確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-10-19
著者
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