硫化法によるCZTS薄膜太陽電池(薄膜プロセス・材料,一般)
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概要
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Cu_2ZnSnS_4(CZTS)は低コスト・低環境負荷の薄膜太陽電池の光吸収層として期待されている.本研究で硫化物プリカーサをH_2S雰囲気中で硫化,硫化物プリカーサをS雰囲気中で硫化,金属プリカーサをS雰囲気中で硫化の3種類の方法でCZTSを作製した.これらの方法で作製したCZTS薄膜は粒径が小さく,膜中にSnS_2が残存した.硫化物プリカーサを用いたCZTS薄膜は表面が滑らかで,裏面電極のMoとの界面に空隙は存在しなかった.S雰囲気中で硫化したCZTS薄膜を用いて作製した太陽電池で620mVの開放電圧が得られ、太陽電池は3種類とも4%以上の変換効率が得られた.
- 2009-10-22
著者
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伊東 謙太郎
信州大学工学部
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関 拓郎
信州大学工学部
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五十嵐 重雄
信州大学工学部
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漢人 康善
信州大学工学部
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百瀬 成空
長野工業高等専門学校
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橋本 佳男
信州大学工学部
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橋本 佳男
信州大学工学部電気電子工学科
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