CuInS_2薄膜太陽電池の作製と評価
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概要
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In_2O_3/CdS/CuInS_2ヘテロ構造を用いた太陽電池を作製し、変換効率9.67%を達成した。CuInS_2薄膜は銅とインジウムの金属積層膜をH_2Sガスで硫化し、形成された。その際、銅過剰の状態で硫化することにより、結晶性を向上し、さらに、導電性の高い銅の硫化物をKCNにより除去することにより、最適なキャリア密度と結晶性をもつ膜が得られる。また、CdSバッファー層はよう化物をもちいた溶液成長法により、製膜した。このCdS/CuInS_2ヘテロ接合は伝導帯のバンド不連続が0.05eVと非常に小さく、太陽電池には最適なものである。これにより、この太陽電池の開放電圧は、717meVまで向上された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-05-19
著者
-
伊東 謙太郎
信州大学工学部
-
橋本 佳男
信州大学工学部
-
橋本 佳男
信州大学工学部電気電子工学科
-
小川 由高
信州大学工学部電気電子工学科
-
Jager-Waldau A.
Universitat Konstanz
-
竹内 和浩
信州大学工学部電気電子工学科
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