硫化法により形成した CuIn(S,Se)_2 薄膜太陽電池
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概要
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銅とセレン化インジウムの積層膜をH_2Sガスを含む雰囲気中で熱処理することにより形成したCuIn(S,Se)_2薄膜を用いて太陽電池を製作した。ここで、CuIn(S,Se)_2膜のS/(S+Se)比は硫化時間により制御できる。この膜の格子定数および禁制帯幅はS/(S+Se)比に対応して変化するため、これらの値も硫化時間により制御できる。KCNによりこの膜に含まれるCu_xSやCu_xSeが取り除かれて、キャリア密度は約3×10^<17>cm<-3>となった。この膜の上に、溶液成長法によりCdSのバッファー層を、次いでその上にスパッタリングによりIn_2O_3の窓層をそれぞれを堆積させて、ヘテロ接合太陽電池を形成した。この太陽電池において変換効率9.69%を達成した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-30
著者
-
伊東 謙太郎
信州大学工学部
-
橋本 佳男
信州大学工学部
-
大橋 剛
荏原製作所
-
橋本 佳男
信州大学工学部電気電子工学科
-
大橋 剛
信州大学工学部電気電子工学科
-
A. Jager-Waldau
Universitat Konstanz, Germany
-
宮澤 勉
信州大学工学部電気電子工学科
-
A. Jager-waldau
Universitat Konstanz Germany
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