カルコパイライト系混晶薄膜の製作と太陽電池への応用

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概要

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CuInS_2薄膜をセレン化することにより、CuIn (S_xSe_<1-x>)_2混晶薄膜を作製した。セレン化は、CuInS_2上にSeを蒸着して得られる積層膜を真空中で熱処理することにより行った。このCuIn (S_xSe_<1-x>)_2薄膜のS/(S+Se) 比は、セレン化を行う回数により制御できる。この薄膜を用いた太陽電池で8.1%の変換効率が得られた。またCu/In/GaS積層膜をH_2Sガスで硫化することにより、CuIn_xGa_<1-x>S_2混晶薄膜の製作を試みた。しかしながら、単相で均質なCuIn_xGa<1-x>S_2の形成は難しく、したがって膜中のGaの量は少なく制限すべきだと思われる。これまでにCu/(In+Ga)=1.1、Ga/(In+Ga)=0.1のプリカーサを硫化して得られた薄膜を用いた太陽電池で9.5%の変換効率が得られている。
社団法人電子情報通信学会の論文
1997-10-31

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