硫化法で製作したCuInS_2薄膜の評価

スポンサーリンク

概要

論文の詳細を見る
カルコパライト構造のCuInS_2は太陽電池のための光吸収体材料として最も適切な禁制帯幅1.5eVを持つ。我々は、Cu,In金属積層膜に硫化処理を施して製作したCuInS_2薄膜の電気的特性を測定した。ガラス基板に堆積した膜を空気中に放置しておくと、抵抗率は時間の経過とともに減少した。そのとき正孔濃度はほとんど変化しなかったが、ホール移動度は増加した。また、200日程度放置したある膜は、移動度0.36cm^2/V・s、正孔濃度1.96×10^20>cm^-3>を示し、これを真好中でアニールしたところ、やはり正孔濃度はほぼ一定であったが、移動度は減少した。これらの実験結果は、CuInS^2薄膜の結晶粒界に吸着または脱離する酸素などの分子が膜の電気伝導に影響を及ぼすことを示している。
1993-05-20

著者

関連論文

もっと見る

スポンサーリンク