硫黄を用いた硫化法によるCuInS_2薄膜の作製と評価
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概要
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Cu/In金属積層膜を単体の硫黄を用いて硫化処理を行なうことにより、CuInS_2薄膜を作製した。その物性をX線回折装置、EPMA、SEM等を用いて解析し、従来の硫化水素で硫化した試料との比較を行なった。硫黄を用いて硫化してもCuInS_2薄膜を作製することができた。不純物層はCuSであることが分かり、KCN処理によって取り除く事ができた。硫化後のCu/In比はプリカーサのCu/In比に依存せず、硫化後は大きくCu-richになる。Cu-poorか、In-topのプリカーサを硫化すると突起状結晶ができる。この突起を抑制するため、そして結晶粒径を大きくするためにもCu-richのプリカーサを用いた方がよい。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-10-19
著者
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