GaN系量子ドット構造における分極電界と電子状態
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概要
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GaN系量子ドット構造中の分極電界と電子状態の理論解析を行なった。歪み分布の計算にはvalence-force-field法、電子状態の計算にはsp^3強結合法を用いた。GaN中のピラミッド形In_<0.2>Ga_<0.8>N量子ドット(底部直径86.4Å, 高さ20.8Å)では、最大分極電界は1.64MV/cmと計算された。一方、AIN中のGaN量子ドット(同じ寸法)では、この値4倍近く大きな6.12MV/cmであった。上記のIn_<0.2>Ga_<0.8>N量子ドットの電子状態の計算を行なった。その結果、分極電界下の量子閉じ込めStark効果により遷移エネルギーが0.100eV小さくなること、電子と正孔の波動関数がドット中で空間的に分離すること等が明らかになった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-01-22
著者
-
荒川 泰彦
東京大学先端科学技術研究センター
-
荒川 泰彦
東大生研
-
斎藤 敏夫
東京大学国際・産学共同研究センター
-
荒川 泰彦
東大生研ncrc:東大先端研
-
Arakawa Yasuhiko
Research Center For Advanced Science And Technology And Institute Of Industrial Science University O
-
Arakawa Yasuhiko
3rd Department Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
-
荒川 泰彦
Institute For Nano Quantum Information Electronics The University Of Tokyo
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