「光機能デバイスの新展開特集号」の発行によせて
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 1998-08-00
著者
-
荒川 泰彦
東京大学先端科学技術研究センター
-
Arakawa Yasuhiko
Research Center For Advanced Science And Technology And Institute Of Industrial Science University O
関連論文
- 26aXG-4 シリコン結合量子ドットの電子輸送特性評価(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26pWH-6 1.3μm帯光伝導測定によるg因子の見積もり(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 高アスペクト比ドライエッチング技術を用いて作製したシリコンフォトニック結晶デバイス(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
- C-3-24 超小型PD集積型1次元フォトニック結晶分散補償モジュール(フォトニック結晶ファイバ・素子,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-81 1次元結合欠陥型フォトニック結晶分散補償器(補償デバイス,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- フォトニック結晶を用いた分散補償素子の作製検討(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 一次元フォトニック結晶の作製と応用(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- SC-1-9 フォトニック結晶の分散制御と光素子への応用
- 量子ドット光デバイスと国家プロジェクト
- 榊裕之先生,平成20年度文化功労者に
- 1.総論:先端ナノフォトニクスの展開 : 量子ドットを中心にして(進化する先端フォトニックデバイス)
- 応用物理における将来ビジョンマップ : アカデミックロードマップの取り組み
- First Demonstration of Electrically Driven 1.55μm Single-Photon Generator
- MOCVD法により作製したGaAs基板上GaInNAs埋め込みInAs量子ドットレーザの1.3μm帯室温連続発振(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- Single-photon generator for telecom applications
- Photonic Crystal Nanocavity Continuous-wave Laser Operation at Room Temperature
- 学術講演「未来社会に向けた工学の新展開〜エレクトロニクスを中心にして〜」
- Development of Electrically Driven Single-Photon Emitter at Optical Fiber Bands
- Single-Photon Generation in the 1.55-μm Optical-Fiber Band from an InAs/InP Quantum Dot
- Observation of Light Emission at-1.5μm from InAs Quantum Dots in Photonic Crystal Microcavity
- Lab-on-a-chip:towards the miniaturization and integration of fluorescencespectroscopy based detection method onto portable device
- 量子ドットレーザの展望(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 〔invited〕量子ドットレーザの展望(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 窒化物半導体垂直微小共振器LEDの作製と青色面発光レーザへの展望(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 超低閾値ナノ共振器レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 窒化物半導体垂直微小共振器LEDの作製と青色面発光レーザへの展望
- 「総論:ナノテクノロジーと次世代情報通信技術>
- A-4-8 拡張成分分離型ε-フィルタの最適設計とその画像処理への応用
- 高Q値3次元フォトニック結晶ナノ共振器におけるレーザ発振(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 高Q値3次元フォトニック結晶ナノ共振器におけるレーザ発振(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 和文論文誌を研究情報発信の場に : 論文誌活性化に向けて
- 光エレクトロニクス
- 光エレクトロニクス
- 光エレクトロニクス
- 20aYK-12 自己形成量子ドットを用いた単電子トランジスタ構造における光電流,発光の制御(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 1.3μm帯フォトニック結晶ナノ共振器レーザの室温連続発振(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 21世紀を切り開く機能性単結晶の基礎と応用(第21回)フォトニック結晶ナノ共振器を利用した光と物質の相互作用制御
- BCI-1-7 量子ドット-フォトニック結晶ナノ共振器系を用いた超低閾値レーザ(BCI-1.光通信における最新極限技術,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- BCI-1-7 量子ドット-フォトニック結晶ナノ共振器系を用いた超低閾値レーザ(BCI-1.光通信における最新極限技術,ソサイエティ企画)
- InAs量子ドットマイクロディスクレーザの室温発振特性(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- SC-1-2 フォトニック結晶の新しい展開 : 量子ドット・MEMS との融合
- フォトニック結晶を用いた分散補償素子の作製検討(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- フォトニック結晶を用いた分散補償素子の作製検討(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- フォトニック結晶を用いた分散補償素子の作製検討(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 一次元フォトニック結晶の作製と応用(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 一次元フォトニック結晶の作製と応用(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- シリコン上1.3μm量子ドットレーザ--光LSI融合システム構築に向けて
- ウェハ融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- ウェハ融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- ウェハ融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- ウェハ融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 集積化光伝導ダイポールアンテナによるテラヘルツ光の発生と検出
- 通信用フォトニック結晶デバイスと光集積回路(ナノ光技術・電子技術,次世代ナノテクノロジー論文)
- MEMS集積化フォトニック結晶導波路の作製と評価(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
- MEMS-フォトニック結晶機能素子の作製方法
- 集積化光伝導ダイポールアンテナによるテラヘルツ光の発生と検出
- 集積化光伝導ダイポールアンテナによるテラヘルツ光の発生と検出
- Investigation of the Polarization-Induced Charges in Modulatlon Doped Al_xGa_N/GaN Heterostructures through Capacitance-Voltage Profiling and Simulation
- Influence of Ferroelectric Polarization on the Properties of Two-Dimensional Electron Gas in Pb(Zr_Ti_)O_3/Al_xGa_N/GaN Structures
- Characterization of Proton-Irradiated InGaAs/GaAs Multiple Quantum Well Structures by Nonresonant Transient Four-Wave Mixing Technique
- 24aTH-3 2次元チャネルによるInAs自己形成ドットのコンダクタンススペクトロスコピー(量子ドット(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 高誘電率ゲート絶縁膜を用いた高移動度有機薄膜トランジスタ(有機トランジスタ,有機材料・デバイス(有機トランジスタ,化学センサなど),一般)
- 高誘電率ゲート絶縁膜を用いた高移動度有機薄膜トランジスタ
- Alq_3型側鎖を有する可溶性高分子錯体の合成と有機EL素子への応用
- フォトニック結晶ナノ共振器によるシリコンの発光増強
- 低次元量子構造作製技術とデバイス応用の現状と展望 : 量子ドットを中心にして
- A-4-3 成分分離型ε-フィルタの最適設計
- SA-1-2 一般化ε-分離型非線形フィルタバンクを用いたルールベース顔画像美観化システム
- A-4-3 ε-分離型非線形フィルタバンクとその顔画像処理への応用
- A-4-25 成分分離型ε-フィルタとその顔画像美観化への応用
- MOCVD法により作製したGaAs基板上GaInNAs埋め込みInAs量子ドットレーザの1.3μm帯室温連続発振(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- 窒化物半導体垂直微小共振器LEDの作製と青色面発光レーザへの展望(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 窒化物半導体垂直微小共振器LEDの作製と青色面発光レーザへの展望(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 成分分離型ε-フィルタを用いた音声の雑音低減法(ディジタルデータ付き論文特集)
- A-4-4 ε-フィルタバンクによる音声の雑音低減 : 小振幅低周波雑音の除去
- ファジィ論理を用いた非線形画像処理
- A-4-36 成分分離型ε-フィルタによる音声の雑音低減 : スペクトルサブトラクション法との組み合わせ
- A-4-56 適応成分分離型ε-非線形ディジタルフィルタを用いた音声の雑音除去
- 多層非線形成分分離型フィルタによる顔画像美観化
- A-4-24 ε-フィルタを用いた非線形逆フィルタの最適設計
- A-4-50 カラー顔画像美観化を目的とした条件付きメディアンフィルタ
- A-4-42 ε-フィルタを用いた非線形等化器 : 非線形逆フィルタの構成
- マルチメディア画像処理
- ε-フィルタを用いたブロック符号化に伴う歪みの除去 : ハードウェア化に適した非線形ポストフィルタ
- 窒化物半導体量子ドットの形成とレーザーへの応用 (窒化物・青色光半導体)
- 次世代窒化物半導体レーザーの展望 : -青色面発光レーザーと青色量子ドットレーザー-
- GaN系量子ドット構造における分極電界と電子状態
- GaN系量子ドット構造における分極電界と電子状態
- GaN上へのInGaN量子ドットの自然形成
- GaN上へのInGaN量子ドットの自然形成
- 4-1 量子ドットレーザの展望 : 4. ナノオプトロニクス(ナノテクノロジーの光とエレクトロニクスへの応用)
- 2 ナノオプトエレクトロニクスの展望
- SC-9-8 量子効果光デバイスの現状と展望
- 2 ナノオプトエレクトロニクスの展望
- ナノオプトエレクトロニクスの展望
- ナノ構造光デバイスの展開
- 「光機能デバイスの新展開特集号」の発行によせて
- メジアン型ファジィフィルタの提案とその最適設計
- 半導体超構造と量子素子 (「超」の付く技術)
- 有機金属気相選択成長による量子細線の作製とその光物性