窒化物半導体垂直微小共振器LEDの作製と青色面発光レーザへの展望(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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概要
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窒化物半導体面発光レーザの実現を目指して、InGaN垂直微小共振器型LEDの試作・評価を行った。成長条件を精密に制御することによって、ノンドープDBRと同等の高い反射率を有するn型DBRを得ることができた。さらに、クラックの発生を抑制しつつ従来型DBRと同等の反射率を有する超格子DBRの作製にも成功した。p型電極としてはITOを用い、共振器への効果的な正孔注入を実現した。作製した垂直微小共振器型InGaN LED構造の発光スペクトルやその放射角特性から、明瞭な微小共振器効果が現れていることを確認した。また、窒化物DBRの高反射率化を進め、99%の反射率を有する窒化物DBRを得ることができた。短波長面発光レーザヘの応用が期待される。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-09-25
著者
-
荒川 泰彦
東京大学先端科学技術研究センター
-
有田 宗貴
東京大学先端科学技術研究センター
-
西岡 政雄
東京大学生産技術研究所
-
荒川 泰彦
東大生研
-
荒川 泰彦
東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東大生産研
-
荒川 泰彦
東大生研ncrc:東大先端研
-
Arakawa Yasuhiko
Research Center For Advanced Science And Technology And Institute Of Industrial Science University O
-
Arakawa Yasuhiko
3rd Department Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
-
西岡 政雄
東京大学先端科学技術研究センター:東京大学生産技術研究所
-
荒川 泰彦
東京大学先端科学技術研究センター・生産技術研究所
-
荒川 泰彦
Institute For Nano Quantum Information Electronics The University Of Tokyo
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