西岡 政雄 | 東京大学先端科学技術研究センター:東京大学生産技術研究所
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
西岡 政雄
東京大学先端科学技術研究センター:東京大学生産技術研究所
-
荒川 泰彦
東京大学先端科学技術研究センター
-
荒川 泰彦
東大生研
-
荒川 泰彦
東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東大生産研
-
荒川 泰彦
東大生研ncrc:東大先端研
-
Arakawa Yasuhiko
Research Center For Advanced Science And Technology And Institute Of Industrial Science University O
-
Arakawa Yasuhiko
3rd Department Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
-
荒川 泰彦
東京大学先端科学技術研究センター・生産技術研究所
-
荒川 泰彦
Institute For Nano Quantum Information Electronics The University Of Tokyo
-
有田 宗貴
東京大学先端科学技術研究センター
-
西岡 政雄
東京大学生産技術研究所
-
荒川 泰彦
東京大学 ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
-
荒川 泰彦
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
-
橋本 玲
東芝研究開発センター
-
櫛部 光弘
東芝研究開発センター
-
江崎 瑞仙
東芝研究開発センター
-
西岡 政雄
東京大学先端科学技術研究センター
-
荒川 泰彦
東大
-
江崎 瑞仙
(株)東芝研究開発センター
-
荒川 泰彦
1995 1996年度エレクトロニクスソサイエティ和文論文誌編集委員会
-
橋本 玲
(株)東芝 研究開発センター
-
Arakawa Yasuhiko
Inst. For Nano Quantum Information Electronics The Univ. Of Tokyo
-
櫛部 光弘
東芝研究開発センター:ナノエレクトロニクス連携研究センター
-
荒川 泰彦
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
-
永宗 靖
東京大学生産技術研究所
-
塚本 史郎
東京大学生産技術研究所
著作論文
- MOCVD法により作製したGaAs基板上GaInNAs埋め込みInAs量子ドットレーザの1.3μm帯室温連続発振(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- 窒化物半導体垂直微小共振器LEDの作製と青色面発光レーザへの展望(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 窒化物半導体垂直微小共振器LEDの作製と青色面発光レーザへの展望
- MOCVD法により作製したGaAs基板上GaInNAs埋め込みInAs量子ドットレーザの1.3μm帯室温連続発振(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- 窒化物半導体垂直微小共振器LEDの作製と青色面発光レーザへの展望(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 窒化物半導体垂直微小共振器LEDの作製と青色面発光レーザへの展望(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 特集12 : 研究速報 : 強磁場内における発光ダイオードのスペクトル広がりの抑制効果
- 特集4 : 半導体レーザにおける多次元量子閉じ込め効果
- 半導体レ-ザ-における多次元量子閉じ込め効果
- 研究速報 : 多次元 quantum well レーザとその特性
- 特集13 : 研究解説 : 有機金属気相選択成長による量子細線・量子ドットの作製とその光物性