半導体レ-ザ-における多次元量子閉じ込め効果
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- MOCVD法により作製したGaAs基板上GaInNAs埋め込みInAs量子ドットレーザの1.3μm帯室温連続発振(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- 窒化物半導体垂直微小共振器LEDの作製と青色面発光レーザへの展望(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 窒化物半導体垂直微小共振器LEDの作製と青色面発光レーザへの展望
- MOCVD法により作製したGaAs基板上GaInNAs埋め込みInAs量子ドットレーザの1.3μm帯室温連続発振(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- 窒化物半導体垂直微小共振器LEDの作製と青色面発光レーザへの展望(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 窒化物半導体垂直微小共振器LEDの作製と青色面発光レーザへの展望(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 特集12 : 研究速報 : 強磁場内における発光ダイオードのスペクトル広がりの抑制効果
- 特集4 : 半導体レーザにおける多次元量子閉じ込め効果
- 半導体レ-ザ-における多次元量子閉じ込め効果
- 研究速報 : 多次元 quantum well レーザとその特性
- 特集13 : 研究解説 : 有機金属気相選択成長による量子細線・量子ドットの作製とその光物性