MOCVD法により作製したGaAs基板上GaInNAs埋め込みInAs量子ドットレーザの1.3μm帯室温連続発振(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
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概要
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GaAs基板上の量子ドットレーザは,低しきい値電流密度,温度無依存性や高速変調時の波長チャープが小さい等の特徴から,高性能な光通信用1.3μm帯光源として研究が進められている.今回我々は,MOCVD法による量子ドットレーザの作製において,ImAs量子ドットの歪み緩和層にGaInNAs層を用いることで発振波長の長波長化を試み,波長1.31μmにおける低しきい値電流密度0.4kA/cm^2での室温連続発振を達成した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-06-22
著者
-
荒川 泰彦
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
-
荒川 泰彦
東京大学 ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
-
荒川 泰彦
東京大学先端科学技術研究センター
-
橋本 玲
東芝研究開発センター
-
櫛部 光弘
東芝研究開発センター
-
江崎 瑞仙
東芝研究開発センター
-
西岡 政雄
東京大学先端科学技術研究センター
-
荒川 泰彦
東大
-
江崎 瑞仙
(株)東芝研究開発センター
-
荒川 泰彦
東大生研
-
荒川 泰彦
1995 1996年度エレクトロニクスソサイエティ和文論文誌編集委員会
-
橋本 玲
(株)東芝 研究開発センター
-
荒川 泰彦
東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東大生産研
-
荒川 泰彦
東大生研ncrc:東大先端研
-
Arakawa Yasuhiko
Inst. For Nano Quantum Information Electronics The Univ. Of Tokyo
-
Arakawa Yasuhiko
Research Center For Advanced Science And Technology And Institute Of Industrial Science University O
-
Arakawa Yasuhiko
3rd Department Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
-
櫛部 光弘
東芝研究開発センター:ナノエレクトロニクス連携研究センター
-
西岡 政雄
東京大学先端科学技術研究センター:東京大学生産技術研究所
-
荒川 泰彦
東京大学先端科学技術研究センター・生産技術研究所
-
荒川 泰彦
Institute For Nano Quantum Information Electronics The University Of Tokyo
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