櫛部 光弘 | 東芝研究開発センター
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概要
関連著者
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櫛部 光弘
東芝研究開発センター
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江崎 瑞仙
(株)東芝研究開発センター
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橋本 玲
(株)東芝 研究開発センター
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金子 桂
(株)東芝 研究開発センターフロンティアリサーチラボラトリー
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勝野 弘
株式会社東芝研究開発センター
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櫛部 光弘
東芝研究開発センター:ナノエレクトロニクス連携研究センター
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荒川 泰彦
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
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荒川 泰彦
東京大学先端科学技術研究センター
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橋本 玲
東芝研究開発センター
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江崎 瑞仙
東芝研究開発センター
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西岡 政雄
東京大学先端科学技術研究センター
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荒川 泰彦
東大
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荒川 泰彦
東大生研
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荒川 泰彦
1995 1996年度エレクトロニクスソサイエティ和文論文誌編集委員会
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荒川 泰彦
東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東大生産研
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荒川 泰彦
東大生研ncrc:東大先端研
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Arakawa Yasuhiko
Inst. For Nano Quantum Information Electronics The Univ. Of Tokyo
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Arakawa Yasuhiko
Research Center For Advanced Science And Technology And Institute Of Industrial Science University O
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Arakawa Yasuhiko
3rd Department Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
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西岡 政雄
東京大学先端科学技術研究センター:東京大学生産技術研究所
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荒川 泰彦
東京大学先端科学技術研究センター・生産技術研究所
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荒川 泰彦
Institute For Nano Quantum Information Electronics The University Of Tokyo
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勝野 弘
株式会社東芝 研究開発センター
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櫛部 光弘
株式会社東芝研究開発センター
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金子 桂
株式会社東芝研究開発センター
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山田 真嗣
株式会社東芝研究開発センター
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大場 康夫
株式会社東芝研究開発センター
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金子 桂
株式会社東芝 研究開発センター
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荒川 泰彦
東京大学 ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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手塚 勉
東芝研究開発センター
著作論文
- MOCVD法により作製したGaAs基板上GaInNAs埋め込みInAs量子ドットレーザの1.3μm帯室温連続発振(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- マイクロキャビティー・レーザーの共鳴光励起発振
- MOCVD法により作製したGaAs基板上GaInNAs埋め込みInAs量子ドットレーザの1.3μm帯室温連続発振(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- 有機金属気相成長法を用いた光通信波長帯量子ドットレーザの開発
- 快適なLED照明空間を演出する高出力近紫外光LED
- 単結晶AlNバッファー層を用いた近紫外LEDの特性(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 単結晶AlNバッファー層を用いた近紫外LEDの特性(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)