単結晶AlNバッファー層を用いた近紫外LEDの特性(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)

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概要

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近紫外LEDを励起光源として用いた白色LEDは、演色性が高いことで知られているが、電流増大による効率低下が少ない特徴を生かして、高輝度な固体照明の実現も期待できる。高温成長AlNバッファー層を用いた低欠陥結晶成長技術と電流均一性に優れた素子構造を採用して、可視光LED並みの効率を持つ390mm帯の近紫外LEDを作製し、光出力の電流依存性を調べた。その結果、量子井戸の厚膜化によって高電流領域における効率低下を抑制できることが分かり、0.35Aおよび3A動作時においてそれぞれ0.6W、4.3Wの光出力が得られた。
2011-06-23

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