超高速GaN/AlNサブバンド間遷移光スイッチのシミュレーション(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
不均一スペクトル拡がりや2次元モード分布等の影響も考慮したGaN系サブバンド間遷移光スイッチのシミュレータを開発し, 実験結果と比較検討を行った.試作素子の特性は, 長すぎた吸収ピーク波長や, 転位に起因する過剰損失により制限されていた.これらを改善すれば, スイッチングエネルギーを現状のリッジ構造で10pJ程度まで, サブミクロン寸法のハイメサ構造で1pJ程度まで低減できるものと期待される.実験で得られた光ゲート幅(∿360fs)はポンプ光のパルス幅により制限されており, イントリンシックな応答速度は100fsオーダーである.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-01-21
著者
-
鈴木 信夫
(株)東芝研究開発センター
-
飯塚 紀夫
(株)東芝研究開発センター
-
鈴木 信夫
(株)東芝 研究開発センター
-
金子 桂
(株)東芝 研究開発センターフロンティアリサーチラボラトリー
-
鈴木 信夫
東芝 研開セ
関連論文
- Si導波路と集積化したオンチップ光配線デバイスの開発 (光エレクトロニクス)
- 電界吸収型光変調器の実効的αパラメータの比較
- Si細線導波路集積デバイス(フォトニックNWシステム・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- SiNを上部クラッドとするGaN/AlN光導波路のサブバンド間吸収(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- SiNを上部クラッドとするGaN/AlN光導波路のサブバンド間吸収 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- SiNを上部クラッドとするGaN/AlN光導波路のサブバンド間吸収(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- SiNを上部クラッドとするGaN/AlN光導波路のサブバンド間吸収(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- Si導波路と集積化したオンチップ光配線デバイスの開発(光パッシブコンポネント(フィルタ、コネクタ、MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
- C-3-46 光細線導波路集積デバイス(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- Si細線導波路集積デバイス
- Si細線導波路集積デバイス(フォトニックNWシステム・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- Si細線導波路集積デバイス(フォトニックNWシステム・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- Si細線に集積した導波路型InGaAs MSM受光素子(光パッシブコンポーネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
- C-3-82 Si光導波路用FDTDへのキャリア効果の波長依存性の組込み(導波路解析,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-43 Si HIC導波路中の非線形光パルス伝搬のFDTD解析(光伝搬・導波路解析(II),C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- GaN系サブバンド間遷移を利用したサブピコ秒半導体光スイッチ
- C-4-4 GaN系サブバンド間遷移光スイッチの超高速応答の理論解析(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- 超高速GaN/AlNサブバンド間遷移光スイッチのシミュレーション(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 超高速GaN/AlNサブバンド間遷移光スイッチのシミュレーション(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 超高速GaN/AlNサブバンド間遷移光スイッチのシミュレーション(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 超高速GaN/AlNサブバンド間遷移光スイッチのシミュレーション(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 超高速GaN/AlNサブバンド間遷移光スイッチのシミュレーション
- GaN系サブバンド間遷移を応用したサブピコ秒光スイッチ
- サブバンド間遷移光の短波長化と展望
- GaN/AINサブバンド間光増幅器を用いた波長一括変換のシミュレーション
- GaN/AlNサブバンド間光増幅器を用いた波長一括変換のシミュレーション(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,集積光回路,半導体光導波路素子,PLC,ファイバ型デバイス,導波路解析,その他)
- GaN/AlNサブバンド間光増幅器を用いた波長一括変換のシミュレーション(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,集積光回路,半導体光導波路素子,PLC,ファイバ型デバイス,導波路解析,その他)
- GaN/AlNサブバンド間光増幅器を用いた波長一括変換のシミュレーション(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,集積光回路,半導体光導波路素子,PLC,ファイバ型デバイス,導波路解析,その他)
- AlGaN/GaN多重量子井戸におけるサブバンド間遷移
- AlGaN/GaN多重量子井戸におけるサブバンド間遷移
- ターンオフ遅延変調法による光ファイバ伝送特性の改善
- サブバンド間遷移による全光スイッチ
- AlGaN/GaN量子井戸中のサブバンド間吸収を利用した波長変換の理論解析
- GaN-based intersubband transitions for ultra fast optical switching(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待講演]GaN-based intersubband transitions for ultra fast optical switching(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 29pYH-6 GaN/AIN 量子井戸における近赤外サブバンド間遷移 : 超高速光制御デバイスへの応用を目指して
- GaN/AlN量子井戸の作製とサブバンド間遷移の光応答特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- GaN/AlN量子井戸の作製とサブバンド間遷移の光応答特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- MBE成長GaN/AlN多重量子井戸の近赤外サブバンド間吸収
- MBE成長GaN/AlN多重量子井戸の近赤外サブバンド間吸収
- MBE成長GaN/AlN多重量子井戸の近赤外サブバンド間吸収
- MBE成長GaN/AlN多重量子井戸の近赤外サブバンド間吸収
- GaN系サブバンド間遷移を用いた超高速光制御デバイス
- GaN中のサブバンド間遷移を利用した超高速光ゲートの解析
- GaN中のサブバンド間遷移を利用した超高速光ゲートの解析
- GaN中のサブバンド間遷移を利用した超高速光ゲートの解析
- GaN中のサブバンド間遷移を利用した超高速光ゲｰトの解析
- 快適なLED照明空間を演出する高出力近紫外光LED
- オンチップ光配線用MZI型シリコン光変調器およびInGaAs MSM-PDの小型集積化技術の開発(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
- GaN系量子井戸のサブバンド間遷移に対するビルトイン電界の影響
- GaN系量子井戸のサブバンド間遷移に対するビルトイン電界の影響
- GaN系量子井戸のサブバンド間遷移に対するビルトイン電界の影響
- GaN系量子井戸のサブバンド間遷移に対するビルトイン電界の影響
- フェムト秒光スイッチに向けたGaN系サブバンド間遷移の理論検討
- GaN/AlNサブバンド間光増幅器を用いた波長一括変換のシミュレーション(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,集積光回路,半導体光導波路素子,PLC,ファイバ型デバイス,導波路解析,その他)
- C-4-52 GaN 系サブバンド間光増幅器中の相互位相変調を用いた超高速光スイッチのシミュレーション
- B-12-9 GaN 系サブバンド間光増幅器中の相互利得変調を用いた超高速光スイッチのシミュレーション
- 光励起GaN/AINサブバンド間光増幅器における1 Tb/s光スイツチングのシミュレーション
- 光励起GaN/AINサブバンド間光増幅器における1 Tb/s光スイツチングのシミュレーション
- 光励起GaN/AlNサブバンド間光増幅器における 1Tb/s光スイッチングのシミュレーション
- 光励起GaN/AINサブバンド間光増幅器における1Tb/s光スイッチングのシミュレーション
- 超高速光制御素子としてのGaN系サブバンド間光増幅器の可能性検討
- 超高速光制御素子としてのGaN系サブバンド間光増幅器の可能性検討
- 超高速光制御素子としてのGaN系サブバンド間光増幅器の可能性検討
- 単結晶AlNバッファー層を用いた近紫外LEDの特性(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 単結晶AlNバッファー層を用いた近紫外LEDの特性(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- GaN量子井戸のサブバンド間遷移を利用した多波長一括変換の理論解析
- GaN量子井戸のサブバンド間遷移を利用した多波長一括変換の理論解析
- GaN量子井戸のサブバンド間遷移を利用した多波長一括変換の理論解析
- GaN量子井戸のサブバンド間遷移を利用した多波長一括変換の理論解析
- B-12-2 GaN系サブバンド間吸収による干渉計型超高速光ゲートのシミュレーション
- GaN系サブバンド間遷移を用いた超高速マッハ・ツェンダ干渉計光ゲート・スイッチの可能性検討
- GaN系サブバンド間遷移を用いた超高速マッハ・ツェンダ干渉計光ゲート・スイッチの可能性検討
- GaN系サブバンド間遷移を用いた超高速マッハ・ツェンダ干渉計光ゲート・スイッチの可能性検討