光励起GaN/AlNサブバンド間光増幅器における 1Tb/s光スイッチングのシミュレーション
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概要
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GaN系サブバンド間遷移(ISBT)を利用した可飽和吸収ゲートは,光通信波長帯でサブピコ秒の吸収回復時間を有するが,半導体パルス光源による制御を実現するためにはスイッチング・エネルギー(〜1 pJ/pulse)の低減が必要である.そこで,GaN/AIN系光励起サブバンド間光増幅器(ISOA)中の光スイッチング動作を,一次元時間領域有限差分法(FDTD)により解析した.数Wのcw光励起が必要であるが,1Tb/sにおいても顕著なパターン効果なしに,100 fJ/パルスの制御光で消光比lOdB以上の光スイッチングを実現できるとの予測結果が得られた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-01-16
著者
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