超高速光制御素子としてのGaN系サブバンド間光増幅器の可能性検討
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概要
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GaN系サブバンド間遷移の超高速応答(〜Tb/s)と半導体光増幅器の低エネルギー動作の両方の利点を併せ持つ超高速全光制御素子として、GaN/AIN結合量子井戸構造に電流注入と光励起を併用したサブバンド間光増幅器を提案した。レート方程式による理論解析により、1Wのcw光励起で20dB程度の信号利得が得られることと、可飽和吸収型のサブバンド間遷移光スイッチより2桁低い10dBm以下の制御光で、消光比10dB以上の超高速光ゲート動作を実現できることが予測された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-08-15
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