フェムト秒光スイッチに向けたGaN系サブバンド間遷移の理論検討
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概要
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波長1.55μm帯、室温でテラビット動作する光スイッチの原理として、AlGaN/GaN量子井戸中のサブバンド間遷移の理論検討を行った。GaN系はサブバンド間緩和時間が約100fsと短いので、AlAs/InGaAs系の1/20の回復時間が期待できる。一方、GaN系では位相緩和時間も短いので、強い共鳴吸収が得られないことが問題となる。しかし、高キャリア密度における排他律を利用すれば、緩和時間は長くできる可能性がある。また、サブバンド間遷移による超高速光応答特性は、非平衡フォノン吸収によるエネルギー緩和過程の遅延の影響をほとんど受けないことも示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-04-16
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