飯塚 紀夫 | (株)東芝研究開発センター
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概要
関連著者
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飯塚 紀夫
(株)東芝研究開発センター
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鈴木 信夫
(株)東芝研究開発センター
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鈴木 信夫
(株)東芝 研究開発センター
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金子 桂
(株)東芝 研究開発センターフロンティアリサーチラボラトリー
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鈴木 信夫
東芝 研開セ
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(株)東芝研究開発センター
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東京大学先端科学技術研究センター:東京大学工学系研究科
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小林 賢太郎
(株)東芝研究開発センター
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橋本 玲
(株)東芝 研究開発センター
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佐藤 泰輔
(株)東芝 研究開発センター
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東京大学先端科学技術研究センター
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杉山 正和
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杉山 正和
東京大学大学院総合研究機構
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杉山 正和
東京大学工学系研究科
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杉山 正和
東京大学大学院 工学系研究科
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清水 俊匡
東京大学先端科学技術研究センター
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真名垣 暢人
(株)東芝研究開発センター
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ハッサネット ソダーバンル
東京大学工学系研究科
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中野 義昭
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(株)東芝 研究開発センター
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鈴木 隆
(株)東芝研究開発センター
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鈴木 信夫
東芝・研究開発センター
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飯塚 紀夫
東芝・研究開発センター
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金子 桂
東芝・研究開発センター
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鈴木 信夫
Advanced Discrete Semiconductor Technology Lab., Corporate R & D Center, Toshiba Corp.
著作論文
- Si導波路と集積化したオンチップ光配線デバイスの開発 (光エレクトロニクス)
- Si細線導波路集積デバイス(フォトニックNWシステム・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- SiNを上部クラッドとするGaN/AlN光導波路のサブバンド間吸収(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- SiNを上部クラッドとするGaN/AlN光導波路のサブバンド間吸収 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- SiNを上部クラッドとするGaN/AlN光導波路のサブバンド間吸収(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
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- Si導波路と集積化したオンチップ光配線デバイスの開発(光パッシブコンポネント(フィルタ、コネクタ、MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
- C-3-46 光細線導波路集積デバイス(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- Si細線導波路集積デバイス
- Si細線導波路集積デバイス(フォトニックNWシステム・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- Si細線導波路集積デバイス(フォトニックNWシステム・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- GaN系サブバンド間遷移を利用したサブピコ秒半導体光スイッチ
- C-4-4 GaN系サブバンド間遷移光スイッチの超高速応答の理論解析(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- 超高速GaN/AlNサブバンド間遷移光スイッチのシミュレーション(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 超高速GaN/AlNサブバンド間遷移光スイッチのシミュレーション(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 超高速GaN/AlNサブバンド間遷移光スイッチのシミュレーション(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
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- 超高速GaN/AlNサブバンド間遷移光スイッチのシミュレーション
- GaN系サブバンド間遷移を応用したサブピコ秒光スイッチ
- サブバンド間遷移光の短波長化と展望
- AlGaN/GaN多重量子井戸におけるサブバンド間遷移
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- GaN-based intersubband transitions for ultra fast optical switching(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待講演]GaN-based intersubband transitions for ultra fast optical switching(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 29pYH-6 GaN/AIN 量子井戸における近赤外サブバンド間遷移 : 超高速光制御デバイスへの応用を目指して
- GaN/AlN量子井戸の作製とサブバンド間遷移の光応答特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- GaN/AlN量子井戸の作製とサブバンド間遷移の光応答特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- MBE成長GaN/AlN多重量子井戸の近赤外サブバンド間吸収
- MBE成長GaN/AlN多重量子井戸の近赤外サブバンド間吸収
- MBE成長GaN/AlN多重量子井戸の近赤外サブバンド間吸収
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- GaN系サブバンド間遷移を用いた超高速光制御デバイス
- GaN中のサブバンド間遷移を利用した超高速光ゲートの解析
- GaN中のサブバンド間遷移を利用した超高速光ゲートの解析
- GaN中のサブバンド間遷移を利用した超高速光ゲートの解析
- GaN中のサブバンド間遷移を利用した超高速光ゲｰトの解析
- オンチップ光配線用MZI型シリコン光変調器およびInGaAs MSM-PDの小型集積化技術の開発(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
- GaN系量子井戸のサブバンド間遷移に対するビルトイン電界の影響
- GaN系量子井戸のサブバンド間遷移に対するビルトイン電界の影響
- GaN系量子井戸のサブバンド間遷移に対するビルトイン電界の影響
- GaN系量子井戸のサブバンド間遷移に対するビルトイン電界の影響
- フェムト秒光スイッチに向けたGaN系サブバンド間遷移の理論検討