鈴木 隆 | (株)東芝研究開発センター
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概要
関連著者
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鈴木 隆
(株)東芝研究開発センター
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鈴木 隆
東芝研究開発センター
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東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
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(株)東芝 研究開発センター
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広瀬 真由美
東芝研究開発センター
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Hirose Mayumi
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
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Takada Yoshiharu
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
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蔵口 雅彦
東芝研究開発センター
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Tsuda Kunio
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
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津田 邦男
(株)東芝研究開発センター
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Kuraguchi Masahiko
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
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広瀬 真由美
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
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(株)東芝研究開発センター
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鈴木 隆
(株)東芝 研究開発センター
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津田 邦男
東芝研究開発センター
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蔵口 雅彦
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
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津田 邦男
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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高田 賢治
(株)東芝 研究開発センター
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東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
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東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
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東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
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東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
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東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部
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桜井 博幸
東芝会社ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
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松下 景一
東芝会社ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
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増田 和俊
東芝会社ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
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東芝会社ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
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東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
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川崎 久夫
東芝会社ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
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高木 一考
東芝会社ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
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鈴木 拓馬
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
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増田 和俊
東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部
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川崎 久夫
(株)東芝社会ネットワークインフラ社小向工場
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Takagi Kazutaka
Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation
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Suzuki Takuma
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
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Kawasaki Hisao
Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation
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増田 和俊
東芝 社会システム社 小向工場
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Takatsuka Shinji
Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation
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Sakurai Hiroyuki
Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation
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内富 直隆
(株)東芝研究開発センター
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内富 直隆
東芝研究開発センター
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北浦 義昭
(株)東芝セミコンダクター社ディスクリート半導体事業部
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北浦 義昭
(株)東芝研究開発センター
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石田 賢二
(株)東芝 研究開発センター
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三原 正勝
(株)東芝研究開発センター
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東芝研究開発センター
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加屋野 博幸
東芝研究開発センター
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田邊 芳一
(株)東芝研究開発センター
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東芝研究開発センター
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東芝研究開発センター
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東芝研究開発センター
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松永 徳彦
東芝半導体事業部
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北浦 義明
東芝研究開発センター
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寺田 俊幸
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大平 和哉
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吉田 春彦
(株)東芝研究開発センター
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飯塚 紀夫
(株)東芝研究開発センター
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江崎 瑞仙
(株)東芝研究開発センター
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鈴木 信夫
(株)東芝 研究開発センター
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脇本 啓嗣
(株)東芝研究開発センター
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佐々木 忠寛
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三原 正勝
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垣内 頼人
東芝研究開発センター
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吉村 操
東芝研究開発センター
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池田 佳子
(株)東芝セミコンダクター社ディスクリート半導体事業部
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鈴木 信夫
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著作論文
- GaAs 20GHz 8ビットマルチプレクサ
- C帯170W出力GaN-HEMTの開発(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- W-CDMA用Self-Aligned Gate PHEMTの高線形特性
- GaN系MISFETの開発(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- C帯170W出力GaN-HEMTの開発(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- C帯170W出力GaN-HEMTの開発(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- アンドープAlGaN/GaN HEMTを用いた1.9GHz動作SPDTスイッチ
- C-10-12 AlGaN/GaN HEMTを用いた5W出力1.9GHz動作SPDTスイッチ(C-10. 電子デバイス, エレクトロニクス2)
- 5W出力1.9GHz動作のAlGaN/GaN-HEMT SPDTスイッチ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 5W出力1.9GHz動作のAlGaN/GaN-HEMT SPDTスイッチ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- オンチップ光配線用MZI型シリコン光変調器およびInGaAs MSM-PDの小型集積化技術の開発(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)