蔵口 雅彦 | (株)東芝 研究開発センター

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概要

• 同名の論文著者
• (株)東芝 研究開発センターの論文著者

関連著者

• 鈴木 隆

  東芝研究開発センター

• 高田 賢治

  東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー

• 佐々木 忠寛

  (株)東芝研究開発センター

• 津田 邦男

  (株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所

• 蔵口 雅彦

  東芝研究開発センター

• 広瀬 真由美

  (株)東芝 研究開発センター

• 高田 賢治

  (株)東芝 研究開発センター

• 蔵口 雅彦

  (株)東芝 研究開発センター

• 鈴木 隆

  (株)東芝 研究開発センター

• 広瀬 真由美

  東芝研究開発センター

• 鈴木 隆

  (株)東芝研究開発センター

• Tsuda Kunio

  Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation

• Hirose Mayumi

  Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation

• 津田 邦男

  (株)東芝研究開発センター

• Takada Yoshiharu

  Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation

• Kuraguchi Masahiko

  Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation

• 佐々木 忠寛

  (株)東芝 研究開発センター

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著作論文

• アンドープAlGaN/GaN HEMTを用いた1.9GHz動作SPDTスイッチ
• C-10-12 AlGaN/GaN HEMTを用いた5W出力1.9GHz動作SPDTスイッチ(C-10. 電子デバイス, エレクトロニクス2)
• 5W出力1.9GHz動作のAlGaN/GaN-HEMT SPDTスイッチ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• 5W出力1.9GHz動作のAlGaN/GaN-HEMT SPDTスイッチ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)

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