佐々木 忠寛 | (株)東芝研究開発センター

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• 佐々木 忠寛

  (株)東芝研究開発センター

• 広瀬 真由美

  (株)東芝 研究開発センター

• 広瀬 真由美

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• Hirose Mayumi

  Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation

• 佐々木 忠寛

  (株)東芝 研究開発センター

• 鈴木 隆

  東芝研究開発センター

• 高田 賢治

  東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー

• 鈴木 隆

  (株)東芝研究開発センター

• Takada Yoshiharu

  Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation

• 津田 邦男

  (株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所

• 蔵口 雅彦

  東芝研究開発センター

• 高田 賢治

  (株)東芝 研究開発センター

• 蔵口 雅彦

  (株)東芝 研究開発センター

• 鈴木 隆

  (株)東芝 研究開発センター

• Tsuda Kunio

  Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation

• 津田 邦男

  (株)東芝研究開発センター

• Kuraguchi Masahiko

  Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation

• 北浦 義昭

  (株)東芝セミコンダクター社ディスクリート半導体事業部

• 北浦 義昭

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• 前田 忠彦

  東芝研究開発センターulsi研究所

• 大高 章二

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• 内富 直隆

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• 広瀬 真由美

  東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー

• 梅田 俊之

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• 加屋野 博幸

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• 田邊 芳一

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• 林原 幹雄

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  (株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所 マイクロ波事業開発部

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  東芝研究開発センターULSI研究所

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• 亀山 敦

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著作論文

• 隣接チャネル漏洩電力のゲートバイアス依存性
• W-CDMA用Self-Aligned Gate PHEMTの高線形特性
• 1.9GHzダイレクトコンバージョン方式による 可変減衰器付直交変調器
• アンドープAlGaN/GaN HEMTを用いた1.9GHz動作SPDTスイッチ
• C-10-12 AlGaN/GaN HEMTを用いた5W出力1.9GHz動作SPDTスイッチ(C-10. 電子デバイス, エレクトロニクス2)
• 5W出力1.9GHz動作のAlGaN/GaN-HEMT SPDTスイッチ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• 5W出力1.9GHz動作のAlGaN/GaN-HEMT SPDTスイッチ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• 可変利得機能内蔵1.9GHz直交変調器モジュール

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