新田 智洋 | 東芝

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概要

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関連著者

• 新田 智洋

  東芝

• 齋藤 泰伸

  東芝

• 垣内 頼人

  東芝

• 齋藤 渉

  東芝セミコンダクター社

• 新田 智洋

  東芝セミコンダクター社

• 垣内 頼人

  東芝セミコンダクター社

• 齋藤 泰伸

  東芝セミコンダクター社

• 齋藤 渉

  東芝

• 野田 隆夫

  東芝

• 吉岡 啓

  東芝

• 藤本 英俊

  東芝

• 大村 一郎

  東芝セミコンダクター社

• 大村 一郎

  九州工業大学

• 津田 邦男

  東芝研究開発センター

• 山口 正一

  東芝セミコンダクター社

• 大村 一郎

  株式会社 東芝

• 山口 正一

  株式会社 東芝

• 山口 正一

  (株)東芝セミコンダクター社

• 大野 哲也

  東芝

• Tsuda Kunio

  Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation

• 津田 邦男

  東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー

• 津田 邦男

  (株)東芝研究開発センター

• 土門 知一

  東芝ビジネス＆ライフサービス

• 内富 直隆

  (株)東芝研究開発センター

• 新田 智洋

  (株)東芝研究開発センターULSI研究所

• 土門 知一

  東芝ビジネス&ライフサービス

• 北浦 義昭

  (株)東芝セミコンダクター社ディスクリート半導体事業部

• 吉村 操

  (株)東芝研究開発センター

• 北浦 義昭

  (株)東芝研究開発センター

• 長岡 正見

  (株)東芝 研究開発センター

• 石田 賢二

  (株)東芝 研究開発センター

• 亀山 敦

  (株)東芝研究開発センター

• 川久 克江

  (株)東芝研究開発センター

• 池田 佳子

  (株)東芝研究開発センター

• 石田 賢二

  小信号素子応用技術部

• 吉村 操

  (株)東芝研究開発センターULSI研究所

• 北浦 義昭

  (株)東芝研究開発センターULSI研究所

• 三原 正勝

  (株)東芝研究開発センター

• 加屋野 博幸

  東芝研究開発センター

• 田邊 芳一

  (株)東芝研究開発センター

• 鈴木 隆

  東芝研究開発センター

• 内富 直隆

  東芝研究開発センター

• 長岡 正見

  (株)東芝セミコンダクター社ディスクリート半導体事業部

• 川久 克江

  (株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所

• 高田 賢治

  東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー

• 広瀬 真由美

  東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー

• 佐々木 忠寛

  (株)東芝研究開発センター

• 広瀬 真由美

  (株)東芝 研究開発センター

• 佐々木 忠寛

  東芝研究開発センター

• 田辺 芳一

  東芝研究開発センター

• 新田 智洋

  東芝研究開発センター

• 三原 正勝

  東芝研究開発センター

• 垣内 頼人

  東芝研究開発センター

• 吉村 操

  東芝研究開発センター

• 藤枝 一也

  東芝研究開発センター

• 北浦 義昭

  東芝研究開発センター

• 大村 一郎

  東芝 セミコンダクター社

• 津田 邦男

  東芝 セミコンダクター社、研究開発センター

• 広瀬 真由美

  東芝研究開発センター

• 鈴木 隆

  (株)東芝研究開発センター

• 亀山 敦

  (株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所 研究開発センター

• 亀山 敦

  東芝セミコンダクター社

• 山口 正一

  東芝

• 藤本 英俊

  (株)東芝研究開発センター材料・デバイス研究所

• 池田 佳子

  (株)東芝セミコンダクター社ディスクリート半導体事業部

• 池田 佳子

  (株)東芝セミコンダクター社

• 吉岡 啓

  (株)東芝

• 野田 隆夫

  (株)東芝

• 齋藤 泰伸

  (株)東芝

• Hirose Mayumi

  Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation

• Takada Yoshiharu

  Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation

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著作論文

• 高耐圧GaN-HEMTの無電極ランプ照明回路への応用(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 1.9GHz移動体通信用GaAsSPDTスイッチIC
• W-CDMA用Self-Aligned Gate PHEMTの高線形特性
• 高耐圧GaN-HEMTの無電極ランプ照明回路への応用(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• FP構造を有する高耐圧GaN-HEMTの電流コラプスとゲートチャージ
• 高耐圧GaN-HEMTの電流コラプス抑制に向けたフィールドプレート構造設計ポイント
• 導電性基板上GaN HEMTの縦方向電界による電流コラプス現象
• 高耐圧GaN-HEMTの電流コラプスと信頼性に対する電界の影響
• 高耐圧GaN-HEMTの電流コラプスと信頼性に対する電界の影響

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