FP構造を有する高耐圧GaN-HEMTの電流コラプスとゲートチャージ
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2007-11-30
著者
-
大村 一郎
東芝セミコンダクター社
-
大村 一郎
九州工業大学
-
齋藤 渉
東芝セミコンダクター社
-
新田 智洋
東芝セミコンダクター社
-
垣内 頼人
東芝セミコンダクター社
-
齋藤 泰伸
東芝セミコンダクター社
-
津田 邦男
東芝研究開発センター
-
山口 正一
東芝セミコンダクター社
-
大村 一郎
株式会社 東芝
-
山口 正一
株式会社 東芝
-
山口 正一
(株)東芝セミコンダクター社
-
齋藤 渉
東芝
-
大村 一郎
東芝 セミコンダクター社
-
津田 邦男
東芝 セミコンダクター社、研究開発センター
-
山口 正一
東芝
-
齋藤 泰伸
東芝
-
新田 智洋
東芝
-
Tsuda Kunio
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
-
垣内 頼人
東芝
-
津田 邦男
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
-
津田 邦男
(株)東芝研究開発センター
関連論文
- 磁界プローブによるVRMボード表面実装パワーMOSFETの非破壊電流測定法
- 高耐圧GaN-HEMTの無電極ランプ照明回路への応用(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- GaN-HEMTを用いた高電圧・高周波(>10MHz)E級アンプ回路
- GaN-HEMTを用いた高電圧・高周波(>10MHz)E級アンプ回路(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- VRM開発用マイクロ電流プローブ : 高dI/dt(≧2000A/μsec)逆回復動作の測定
- チョッパ回路における600V系SiC-SBDの低損失化評価
- 4.5kV-6kA遮断IEGT圧接型パッケージの開発
- 1.9GHz移動体通信用GaAsSPDTスイッチIC
- SiC基板上AlGaN/GaN HEMTの基板オフ角依存(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- AlGaN/GaN HEMTのDCストレスによる信頼性評価(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- Ku帯50W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- X帯80W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発
- X帯80W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- X帯40W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- C帯170W出力GaN-HEMTの開発(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- バンプ接続を用いた12V入力10A級 1chip DC-DC コンバータ
- ダブルインプラ・マルチエピSJ-MOSFETのオン抵抗のnピラープロファイル依存性
- マイクロ波測定技術のパワー素子への適用検討 : TDRとネットワークアナライザによる寄生LCRの測定
- パワー半導体でのデバイスシミュレーション技術について(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- シリコンパワーデバイスの現状(パワーエレクトロニクスの課題と展望-ワイドバンドギャップ素子の可能性を含めて)
- シリコンパワー素子の現状
- 国際会議レポート : APEC2004
- [特別講演]次々世代CPU用電源(小テーマ:部品・デバイス・材料技術関連)
- 30p-N-7 共鳴トンネルのバレー電流に対する非弾性散乱の影響II
- 26a-ZG-8 共鳴トンネルのバレー電流に対する非弾性散乱の影響
- 磁界プローブによるVRMボード表面実装パワーMOSFETの非破壊電流測定法
- 磁界プローブによるVRMボード表面実装パワーMOSFETの非破壊電流測定法
- W-CDMA用Self-Aligned Gate PHEMTの高線形特性
- AlGaN/GaN-HEMTに対するドライエッチングの低ダメージ化の検討(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 高耐圧GaN-HEMTにおけるバッファ層構造と電気的特性の相関
- AlGaN/GaN HEMTのDCストレスによる信頼性評価(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- AlGaN/GaN HEMTのDCストレスによる信頼性評価(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- 高耐圧GaN-HEMTにおける電流コラプスのフィールドプレート構造依存性
- GaN系MISFETの開発(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- C帯170W出力GaN-HEMTの開発(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- C帯170W出力GaN-HEMTの開発(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- アンドープAlGaN/GaN HEMTを用いた1.9GHz動作SPDTスイッチ
- C-10-12 AlGaN/GaN HEMTを用いた5W出力1.9GHz動作SPDTスイッチ(C-10. 電子デバイス, エレクトロニクス2)
- 5W出力1.9GHz動作のAlGaN/GaN-HEMT SPDTスイッチ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 5W出力1.9GHz動作のAlGaN/GaN-HEMT SPDTスイッチ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 600V AlGaN/GaN HEMTの試作とDC-DCコンバータ連続運転試験
- 600V GaN-HEMTを用いたDC-DCコンバータ連続運転(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 600V GaN-HEMTを用いたDC-DCコンバータ連続運転(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- フィールドプレート構造を用いたGaNパワーデバイスの最適設計(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- フィールドプレート構造を用いたGaNパワーデバイスの最適設計(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- フィールドプレート構造を用いたGaNパワーデバイスの最適設計(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- パワー半導体でのデバイスシミュレーション技術について(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 低ベース抵抗, 高fmax AlGaAs/GaAs HBT
- Ku帯50W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- Ku帯50W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- X帯80W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- X帯40W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- X帯40W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Heイオン照射を用いたPiNダイオードにおけるダイナミックアバランシェ現象の解析
- 波形振動を抑制する高耐圧ダイオードのダイナミック・パンチスルー設計
- 高耐圧GaN-HEMTの無電極ランプ照明回路への応用(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- EMIノイズとスイッチング損失を考慮したIGBTの限界設計
- EMIノイズとスイッチング損失を考慮したIGBTの限界設計(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)
- ダブルインプラ・マルチエピSJ-MOSFETのオン抵抗のnピラープロファイル依存性(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)
- FP構造を有する高耐圧GaN-HEMTの電流コラプスとゲートチャージ
- 600V Semi SJ-MOSFET のnバッファ層最適設計
- 15.5mΩcm^2-680V Superjunction MOSFET
- 高アバランシェ耐量を有する600V高速NPT-IGBT
- 高耐圧GaN-HEMTの電流コラプス抑制に向けたフィールドプレート構造設計ポイント
- GaN-HEMTを用いた高電圧・高周波(>10MHz)E級アンプ回路(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- GaN-HEMTを用いた高電圧・高周波(>10MHz)E級アンプ回路
- CS-9-4 電源用GaNパワーデバイス(CS-9.実用化が進むGaNデバイスの現状と展望,シンポジウム)
- 高耐圧 (>1000V) SemiSuperjunction MOSFET
- AlGaN/GaN HEMTパワーデバイス
- フィールドプレート構造を用いたGaNパワーデバイスの最適設計
- 600V Semi-Superjunction MOSFET
- 埋め込みp層によるSBDの超低オン抵抗化
- 導電性基板上GaN HEMTの縦方向電界による電流コラプス現象
- C-10-6 オーミック電極の接触抵抗低減によるKa帯GaN HEMTパワー特性の改善(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-band AlGaN/GaN HEMTs with 170W Output Power
- パワー半導体技術は持続的発展に貢献するのか
- InAs赤外線センサを用いたパワー半導体チップ用高速温度測定技術についての検討
- 高耐圧GaN-HEMTの電流コラプスと信頼性に対する電界の影響
- Ka帯20W出力AlGaN/GaN HEMTの開発(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- Ka帯20W出力AlGaN/GaN HEMTの開発(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- フルデジタル回路によるIGBTの高速短絡保護
- InAs赤外線センサを用いたパワー半導体チップ用高速温度測定技術についての検討
- 高耐圧MOSFETのスイッチング損失-ノイズトレードオフ改善
- PiNダイオードの逆回復時高周波振動の検討
- スーパージャンクションMOSFETのゲート制御性改善
- CT-2-6 パワーデバイスの将来とその役割 : 「Si×WBG」から「Si+WBG」へ(CT-2.ワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と展望,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- 高耐熱コンタクトプローブを用いたSiCショットキーバリアダイオードの電流-電圧特性評価用試験装置開発
- スーパージャンクションMOSFETのゲート制御性改善
- 高耐圧GaN-HEMTの電流コラプスと信頼性に対する電界の影響
- 高耐圧GaN-HEMTのスイッチング制御性
- 高耐圧MOSFETのスイッチング損失-ノイズトレードオフ改善
- フルデジタル回路によるIGBTの高速短絡保護
- InAs赤外線センサを用いたパワー半導体チップ用高速温度測定技術についての検討
- PiNダイオードの逆回復時高周波振動の検討
- InAs赤外線センサを用いたパワー半導体チップ用高速温度測定技術についての検討
- 高耐圧パワー・デバイス用スケールダウン・テストベッドの開発(エネルギー変換技術,電池関連技術,一般)
- 高耐圧パワー・デバイス用スケールダウン・テストベッドの開発(エネルギー変換技術,電池関連技術,一般)
- 高耐圧GaN-HEMTのスイッチング制御性