導電性基板上GaN HEMTの縦方向電界による電流コラプス現象
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2007-11-30
著者
-
新田 智洋
(株)東芝研究開発センターULSI研究所
-
野田 隆夫
東芝
-
吉岡 啓
東芝
-
藤本 英俊
東芝
-
藤本 英俊
(株)東芝研究開発センター材料・デバイス研究所
-
齋藤 泰伸
東芝
-
新田 智洋
東芝
-
吉岡 啓
(株)東芝
-
野田 隆夫
(株)東芝
-
齋藤 泰伸
(株)東芝
関連論文
- 高耐圧GaN-HEMTの無電極ランプ照明回路への応用(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 1.9GHz移動体通信用GaAsSPDTスイッチIC
- W-CDMA用Self-Aligned Gate PHEMTの高線形特性
- 高耐圧GaN-HEMTにおけるバッファ層構造と電気的特性の相関
- 高耐圧GaN-HEMTにおける電流コラプスのフィールドプレート構造依存性
- 高耐圧GaN-HEMTの無電極ランプ照明回路への応用(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- FP構造を有する高耐圧GaN-HEMTの電流コラプスとゲートチャージ
- 高耐圧GaN-HEMTの電流コラプス抑制に向けたフィールドプレート構造設計ポイント
- 導電性基板上GaN HEMTの縦方向電界による電流コラプス現象
- 27pA7 LEC法GaAs単結晶中炭素・硼素の偏析(バルク結晶成長シンポジウムIII)(バルク結晶成長シンポジウム : バルク単結晶の新しい融液成長技術)
- 高耐圧GaN-HEMTの電流コラプスと信頼性に対する電界の影響
- 高耐圧GaN-HEMTの電流コラプスと信頼性に対する電界の影響
- 高耐圧GaN-HEMTのスイッチング制御性
- 高耐圧GaN-HEMTのスイッチング制御性