W-CDMA用Self-Aligned Gate PHEMTの高線形特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-09-07
著者
-
内富 直隆
(株)東芝研究開発センター
-
三原 正勝
(株)東芝研究開発センター
-
加屋野 博幸
東芝研究開発センター
-
田邊 芳一
(株)東芝研究開発センター
-
鈴木 隆
東芝研究開発センター
-
内富 直隆
東芝研究開発センター
-
高田 賢治
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
-
広瀬 真由美
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
-
佐々木 忠寛
(株)東芝研究開発センター
-
広瀬 真由美
(株)東芝 研究開発センター
-
佐々木 忠寛
東芝研究開発センター
-
田辺 芳一
東芝研究開発センター
-
新田 智洋
東芝研究開発センター
-
三原 正勝
東芝研究開発センター
-
垣内 頼人
東芝研究開発センター
-
吉村 操
東芝研究開発センター
-
藤枝 一也
東芝研究開発センター
-
北浦 義昭
東芝研究開発センター
-
広瀬 真由美
東芝研究開発センター
-
鈴木 隆
(株)東芝研究開発センター
-
北浦 義昭
(株)東芝セミコンダクター社ディスクリート半導体事業部
-
吉村 操
(株)東芝研究開発センター
-
新田 智洋
東芝
-
Hirose Mayumi
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
-
垣内 頼人
東芝
-
北浦 義昭
(株)東芝研究開発センター
-
Takada Yoshiharu
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
関連論文
- 高耐圧GaN-HEMTの無電極ランプ照明回路への応用(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 1.9GHz帯GaAs共振型SPDTスイッチIC
- 1.9GHz移動体通信用GaAsSPDTスイッチIC
- 低電圧単一電源駆動GaAsパワーアンプ
- 低電圧・単一電源動作可能な1.9GHz帯電力増幅用WNx/WセルフアラインゲートGaAs MESFET(2) : 変調精度の評価
- 1.9GHz高調波抑圧フィルタ内蔵線形電力増幅器MMIC
- 移動体通信用1.9GHz帯パワーアンプモジュール
- 低電圧単一動作GaAsパワーアンプMMIC
- GaAs 20GHz 8ビットマルチプレクサ
- 2008年ヨーロッパマイクロ波会議出席報告(学生発表会/一般)
- 次世代通信システムに期待される超高速・高周波IC
- SiC基板上AlGaN/GaN HEMTの基板オフ角依存(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- AlGaN/GaN HEMTのDCストレスによる信頼性評価(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- Ku帯50W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- X帯80W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発
- X帯80W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- X帯40W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- C帯170W出力GaN-HEMTの開発(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 隣接チャネル漏洩電力のゲートバイアス依存性
- SC-10-2 電力付加効率の計算精度を高めたGaAsFET大信号モデル
- SC-10-2 電力付加効率の計算精度を高めたGaAs FET大信号モデル
- 3V単一電源動作5.8GHz帯パワーアンプ
- 3V単一電源動作5.8GHz帯パワーアンプ
- 3V単一電源動作5.8GHz帯パワーアンプ
- セルフアライン型GaAsMESFETの大信号モデル
- W-CDMA用Self-Aligned Gate PHEMTの高線形特性
- PHS端末用2V単一電源動作RF送受信フロントエンドIC
- PHS端末用2V単一電源動作RF送受信フロントエンドIC
- PHS端末用2V単一電源動作RF送受信フロントエンドIC
- 低電圧単電源で動作する低歪可変減衰器付PHS用パワーアンプ
- 低電圧単電源で動作する低歪可変減衰器付PHS用パワーアンプ
- 低電圧単電源で動作する低歪可変減衰器付PHS用パワーアンプ
- 低電圧動作GaAs共振型SPDTスイッチIC
- PHS用P-pocket型GaAs MESFETの低電圧下のパワー特性
- 1.9GHzダイレクトコンバージョン方式による 可変減衰器付直交変調器
- 光ファイバ-通信と超高速IC (マルチメディアを支える化学技術)
- AlGaN/GaN-HEMTに対するドライエッチングの低ダメージ化の検討(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 高耐圧GaN-HEMTにおけるバッファ層構造と電気的特性の相関
- AlGaN/GaN HEMTのDCストレスによる信頼性評価(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- AlGaN/GaN HEMTのDCストレスによる信頼性評価(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- 高耐圧GaN-HEMTにおける電流コラプスのフィールドプレート構造依存性
- GaN系MISFETの開発(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- C帯170W出力GaN-HEMTの開発(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- C帯170W出力GaN-HEMTの開発(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- アンドープAlGaN/GaN HEMTを用いた1.9GHz動作SPDTスイッチ
- C-10-12 AlGaN/GaN HEMTを用いた5W出力1.9GHz動作SPDTスイッチ(C-10. 電子デバイス, エレクトロニクス2)
- 5W出力1.9GHz動作のAlGaN/GaN-HEMT SPDTスイッチ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 5W出力1.9GHz動作のAlGaN/GaN-HEMT SPDTスイッチ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 600V AlGaN/GaN HEMTの試作とDC-DCコンバータ連続運転試験
- 600V GaN-HEMTを用いたDC-DCコンバータ連続運転(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 600V GaN-HEMTを用いたDC-DCコンバータ連続運転(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- フィールドプレート構造を用いたGaNパワーデバイスの最適設計(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- フィールドプレート構造を用いたGaNパワーデバイスの最適設計(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- フィールドプレート構造を用いたGaNパワーデバイスの最適設計(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 可変利得機能内蔵1.9GHz直交変調器モジュール
- Ku帯50W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- Ku帯50W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- X帯80W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- X帯40W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- X帯40W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 20GHz GaAs8ビットマルチプレクサIC
- C-10-17 5.2-5.8GHz帯WLAN向け高効率・低歪みHBTパワーアンプ(C-10.電子デバイス)
- C-10-10 5.8GHz帯ETC向けGaAsMESFETパワーアンプ
- 超小型・低価格パッケージに内蔵したPHS用正電源駆動型パワーアンプIC
- 高耐圧GaN-HEMTの無電極ランプ照明回路への応用(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- FP構造を有する高耐圧GaN-HEMTの電流コラプスとゲートチャージ
- 高耐圧GaN-HEMTの電流コラプス抑制に向けたフィールドプレート構造設計ポイント
- AlGaN/GaN HEMTパワーデバイス
- フィールドプレート構造を用いたGaNパワーデバイスの最適設計
- AlGaN/GaN HEMT構造におけるオーミック接触抵抗への自発分極およびピエゾ分極の効果
- AlGaN/GaN HEMT構造におけるオーミック接触抵抗への自発分極およびピエゾ分極の効果
- 導電性基板上GaN HEMTの縦方向電界による電流コラプス現象
- C-10-6 オーミック電極の接触抵抗低減によるKa帯GaN HEMTパワー特性の改善(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- Ka帯20W級GaN電力HEMT
- C-band AlGaN/GaN HEMTs with 170W Output Power
- 高耐圧GaN-HEMTの電流コラプスと信頼性に対する電界の影響
- 通信用超高速GaAsデバイス技術 (特集1 ULSI次世代基盤技術)
- Ka帯20W出力AlGaN/GaN HEMTの開発(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- Ka帯20W出力AlGaN/GaN HEMTの開発(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- オンチップ光配線用MZI型シリコン光変調器およびInGaAs MSM-PDの小型集積化技術の開発(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
- 低接触抵抗オーミック電極によるKa帯GaN HEMT特性の改善
- 高耐圧GaN-HEMTの電流コラプスと信頼性に対する電界の影響