PHS用P-pocket型GaAs MESFETの低電圧下のパワー特性
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概要
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PHS端末開発において, 省電力化の要求は極めて大きく, 低電圧化が鍵になる技術課題である。しかし, 現状(3 V程度)より低電圧で動作する端末システムの実現には, パワーアンプ部がネックとなる。今回, われわれは, 低歪・高効率のデバイスとして新たに開発したP-pocket型GaAsパワーMESFETで低電圧での高効率動作を実現したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
長岡 正見
(株)東芝 研究開発センター
-
亀山 敦
(株)東芝研究開発センター
-
内富 直隆
(株)東芝研究開発センター
-
北浦 義昭
(株)東芝研究開発センターULSI研究所
-
長岡 正見
(株)東芝セミコンダクター社ディスクリート半導体事業部
-
広瀬 真由美
(株)東芝 研究開発センター
-
脇本 啓嗣
(株)東芝研究開発センター
-
西堀 一弥
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所 マイクロ波事業開発部
-
広瀬 真由美
東芝研究開発センター
-
亀山 敦
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所 研究開発センター
-
亀山 敦
東芝セミコンダクター社
-
北浦 義昭
(株)東芝セミコンダクター社ディスクリート半導体事業部
-
Hirose Mayumi
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
-
北浦 義昭
(株)東芝研究開発センター
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