1.9GHz移動体通信用GaAsSPDTスイッチIC
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
2.7Vの低電圧・単一電源で動作する1.9GHz移動通信用GaAs SPDT (single-pole double-throw)スイッチICを開発した.本スイッチICでは、低挿入損失、高アイソレーション特性及び低歪み特性を実現するために、オン抵抗が低く且つ耐圧の高いオフセット構造MESFETを採用し、回路構成はインダクタンスを用いた共振構造に加え、受信側をシリーズFET接続とし且つシャント容量を用いた新しい構成を採用した。本ICを試作・評価したところ、小信号特性として周波数1.9GHzにおける挿入損失0.55dB、アイソレーション35.8dB、また、π/4-shifted QPSK (quadruple-phase-shift-keying)信号を用いた大信号特性として19dBmの出力電力時で2次スプリアス-54.3dBc及び600kHz離調における隣接チャネル漏洩電力-66dBcと移動体通信に好適な特性が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-06-21
著者
-
長岡 正見
(株)東芝 研究開発センター
-
石田 賢二
(株)東芝 研究開発センター
-
亀山 敦
(株)東芝研究開発センター
-
川久 克江
(株)東芝研究開発センター
-
池田 佳子
(株)東芝研究開発センター
-
内富 直隆
(株)東芝研究開発センター
-
石田 賢二
小信号素子応用技術部
-
新田 智洋
(株)東芝研究開発センターULSI研究所
-
吉村 操
(株)東芝研究開発センターULSI研究所
-
北浦 義昭
(株)東芝研究開発センターULSI研究所
-
長岡 正見
(株)東芝セミコンダクター社ディスクリート半導体事業部
-
川久 克江
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
-
亀山 敦
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所 研究開発センター
-
亀山 敦
東芝セミコンダクター社
-
北浦 義昭
(株)東芝セミコンダクター社ディスクリート半導体事業部
-
吉村 操
(株)東芝研究開発センター
-
池田 佳子
(株)東芝セミコンダクター社ディスクリート半導体事業部
-
池田 佳子
(株)東芝セミコンダクター社
-
新田 智洋
東芝
-
北浦 義昭
(株)東芝研究開発センター
関連論文
- 高調波抑圧機能内蔵形線形電力増幅器 MMIC
- 高調波抑圧機能内蔵形線形電力増幅器MMIC
- 磁界プローブによるVRMボード表面実装パワーMOSFETの非破壊電流測定法
- 高耐圧GaN-HEMTの無電極ランプ照明回路への応用(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 1.9GHz帯GaAs共振型SPDTスイッチIC
- 移動通信端末送信部高周波IC
- 1.9GHz移動体通信用GaAsSPDTスイッチIC
- 低電圧単一電源駆動GaAsパワーアンプ
- 低電圧・単一電源動作可能な1.9GHz帯電力増幅用WNx/WセルフアラインゲートGaAs MESFET(2) : 変調精度の評価
- 1.9GHz高調波抑圧フィルタ内蔵線形電力増幅器MMIC
- 素子間干渉抑制GND付セルを用いたMMIC設計手法
- 移動体通信用1.9GHz帯パワーアンプモジュール
- 低電圧単一動作GaAsパワーアンプMMIC
- GaAs 20GHz 8ビットマルチプレクサ
- 磁界プローブによるVRMボード表面実装パワーMOSFETの非破壊電流測定法
- SC-10-2 電力付加効率の計算精度を高めたGaAsFET大信号モデル
- SC-10-2 電力付加効率の計算精度を高めたGaAs FET大信号モデル
- 3V単一電源動作5.8GHz帯パワーアンプ
- 3V単一電源動作5.8GHz帯パワーアンプ
- 3V単一電源動作5.8GHz帯パワーアンプ
- セルフアライン型GaAsMESFETの大信号モデル
- W-CDMA用Self-Aligned Gate PHEMTの高線形特性
- PHS端末用2V単一電源動作RF送受信フロントエンドIC
- PHS端末用2V単一電源動作RF送受信フロントエンドIC
- PHS端末用2V単一電源動作RF送受信フロントエンドIC
- 低電圧単電源で動作する低歪可変減衰器付PHS用パワーアンプ
- 低電圧単電源で動作する低歪可変減衰器付PHS用パワーアンプ
- 低電圧単電源で動作する低歪可変減衰器付PHS用パワーアンプ
- 低電圧動作GaAs共振型SPDTスイッチIC
- PHS用P-pocket型GaAs MESFETの低電圧下のパワー特性
- 1.9GHzダイレクトコンバージョン方式による 可変減衰器付直交変調器
- 光ファイバ-通信と超高速IC (マルチメディアを支える化学技術)
- 高調波抑圧機能内蔵形線形電力増幅器MMIC
- 可変利得機能内蔵1.9GHz直交変調器モジュール
- 20GHz GaAs8ビットマルチプレクサIC
- C-10-17 5.2-5.8GHz帯WLAN向け高効率・低歪みHBTパワーアンプ(C-10.電子デバイス)
- C-10-10 5.8GHz帯ETC向けGaAsMESFETパワーアンプ
- 超小型・低価格パッケージに内蔵したPHS用正電源駆動型パワーアンプIC
- 高耐圧GaN-HEMTの無電極ランプ照明回路への応用(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- FP構造を有する高耐圧GaN-HEMTの電流コラプスとゲートチャージ
- 高耐圧GaN-HEMTの電流コラプス抑制に向けたフィールドプレート構造設計ポイント
- FDSOIを用いたスイッチトキャパシタ型0.5Vオンチップ電源の開発
- 低振幅クロックで動作可能な低消費電力フリップフロップ
- SOI CMOSによる極低電力LSI用0.5V電源方式
- マルチVt SOI CMOS技術を用いた低電力LSI向け0.5V電源スキーム
- マルチVt SOI CMOS技術を用いた低電力LSI向け0.5V電源スキーム
- 導電性基板上GaN HEMTの縦方向電界による電流コラプス現象
- C-12-12 PD-SOI CMOSを用いたボディ入力型SCL回路の解析
- 高耐圧GaN-HEMTの電流コラプスと信頼性に対する電界の影響
- 通信用超高速GaAsデバイス技術 (特集1 ULSI次世代基盤技術)
- 高耐圧GaN-HEMTの電流コラプスと信頼性に対する電界の影響