GaAs 20GHz 8ビットマルチプレクサ

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概要

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次世代光通信システムへの適用を目的に、8ビットマルチプレクサICの設計・試作を行ない、20GHzでの動作を確認した。基本素子はゲート抵抗の低減をはかった0.5μmWNx, W積層ゲートGaAs MESFETを用いた。WNx/Wゲートのシート抵抗は0.5Ωと□と従来のWNx単層ゲートの1/20であり、回路動作の高速化に大きく寄与する。回路構成はSCFLを基本回路としたtree構成を採用した。高速で且つ多段接続となる10GHzのクロックバッファ系には、周波数特性の優れたCross-Coupled Source-Follower(CCSF)を新たに考案し、適用した。また、ゲート幅の最適設計により初段の分周器をT型フリップフロップで実現し、21.1GHzまで動作することを確認した。本ICはこれまで報告された8ビットマルチプレクサの中では最高速である。
社団法人電子情報通信学会の論文
1994-07-25

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