低電圧・単一電源動作可能な1.9GHz帯電力増幅用WNx/WセルフアラインゲートGaAs MESFET(2) : 変調精度の評価
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概要
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移動体通信用端末においては、軽量・小型化が必須である。これに対して、2.7Vという低電圧動作、及び、単一電源動作により簡略な回路構成が実現できる非対称セルフアラインゲートGaAs MESFETを開発した。また、移動体通信分野のアナログ方式からディジタル方式への移行に伴い、音声通信に加えてデータ通信の重要性がクローズアップされてきている。すなわち、パワーアンプに関しても、従来からの隣接チャネル漏洩電力の他に、変調精度も重要な線形指標となってきている。そこで今回、前記単一電源動作用GaAs MESFETに関して、変調精度を指標として出力特性を評価したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
-
長岡 正見
(株)東芝 研究開発センター
-
石田 賢二
(株)東芝 研究開発センター
-
吉村 操
(株)東芝研究開発センターULSI研究所
-
北浦 義昭
(株)東芝研究開発センターULSI研究所
-
藤原 郁夫
(株)東芝研究開発センター
-
田辺 芳一
(株)東芝研究開発センター
-
三原 正勝
(株)東芝研究開発センター
-
田邊 芳一
(株)東芝研究開発センター
-
長岡 正見
(株)東芝セミコンダクター社ディスクリート半導体事業部
-
北浦 義昭
(株)東芝セミコンダクター社ディスクリート半導体事業部
-
吉村 操
(株)東芝研究開発センター
-
北浦 義昭
(株)東芝研究開発センター
-
藤原 郁夫
(株)東芝 研究開発センター
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