低電圧動作GaAs共振型SPDTスイッチIC
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
PHS等において通話・待ち受け時間の延長のためには端末全体の電源電圧を下げて消費電力を抑えるのが有効である。RFスイッチにおいても, より低電圧での動作が要求される。今回, 2.0 V正電源電圧動作のGaAs共振型SPDTスイッチICを開発し, 小信号特性, 電力特性共に良好な結果が得られたので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
長岡 正見
(株)東芝 研究開発センター
-
亀山 敦
(株)東芝研究開発センター
-
川久 克江
(株)東芝研究開発センター
-
池田 佳子
(株)東芝研究開発センター
-
内富 直隆
(株)東芝研究開発センター
-
北浦 義昭
(株)東芝研究開発センターULSI研究所
-
長岡 正見
(株)東芝セミコンダクター社ディスクリート半導体事業部
-
川久 克江
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
-
亀山 敦
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所 研究開発センター
-
亀山 敦
東芝セミコンダクター社
-
北浦 義昭
(株)東芝セミコンダクター社ディスクリート半導体事業部
-
池田 佳子
(株)東芝セミコンダクター社ディスクリート半導体事業部
-
池田 佳子
(株)東芝セミコンダクター社
-
北浦 義昭
(株)東芝研究開発センター
関連論文
- 高調波抑圧機能内蔵形線形電力増幅器 MMIC
- 高調波抑圧機能内蔵形線形電力増幅器MMIC
- 磁界プローブによるVRMボード表面実装パワーMOSFETの非破壊電流測定法
- 1.9GHz帯GaAs共振型SPDTスイッチIC
- 移動通信端末送信部高周波IC
- 1.9GHz移動体通信用GaAsSPDTスイッチIC
- 低電圧単一電源駆動GaAsパワーアンプ
- 低電圧・単一電源動作可能な1.9GHz帯電力増幅用WNx/WセルフアラインゲートGaAs MESFET(2) : 変調精度の評価
- 1.9GHz高調波抑圧フィルタ内蔵線形電力増幅器MMIC
- 素子間干渉抑制GND付セルを用いたMMIC設計手法
- 移動体通信用1.9GHz帯パワーアンプモジュール
- 低電圧単一動作GaAsパワーアンプMMIC
- GaAs 20GHz 8ビットマルチプレクサ
- 磁界プローブによるVRMボード表面実装パワーMOSFETの非破壊電流測定法
- SC-10-2 電力付加効率の計算精度を高めたGaAsFET大信号モデル
- SC-10-2 電力付加効率の計算精度を高めたGaAs FET大信号モデル
- 3V単一電源動作5.8GHz帯パワーアンプ
- 3V単一電源動作5.8GHz帯パワーアンプ
- 3V単一電源動作5.8GHz帯パワーアンプ
- セルフアライン型GaAsMESFETの大信号モデル
- W-CDMA用Self-Aligned Gate PHEMTの高線形特性
- PHS端末用2V単一電源動作RF送受信フロントエンドIC
- PHS端末用2V単一電源動作RF送受信フロントエンドIC
- PHS端末用2V単一電源動作RF送受信フロントエンドIC
- 低電圧単電源で動作する低歪可変減衰器付PHS用パワーアンプ
- 低電圧単電源で動作する低歪可変減衰器付PHS用パワーアンプ
- 低電圧単電源で動作する低歪可変減衰器付PHS用パワーアンプ
- 低電圧動作GaAs共振型SPDTスイッチIC
- PHS用P-pocket型GaAs MESFETの低電圧下のパワー特性
- 1.9GHzダイレクトコンバージョン方式による 可変減衰器付直交変調器
- 光ファイバ-通信と超高速IC (マルチメディアを支える化学技術)
- 高調波抑圧機能内蔵形線形電力増幅器MMIC
- 可変利得機能内蔵1.9GHz直交変調器モジュール
- 20GHz GaAs8ビットマルチプレクサIC
- C-10-17 5.2-5.8GHz帯WLAN向け高効率・低歪みHBTパワーアンプ(C-10.電子デバイス)
- C-10-10 5.8GHz帯ETC向けGaAsMESFETパワーアンプ
- 超小型・低価格パッケージに内蔵したPHS用正電源駆動型パワーアンプIC
- FDSOIを用いたスイッチトキャパシタ型0.5Vオンチップ電源の開発
- 低振幅クロックで動作可能な低消費電力フリップフロップ
- SOI CMOSによる極低電力LSI用0.5V電源方式
- マルチVt SOI CMOS技術を用いた低電力LSI向け0.5V電源スキーム
- マルチVt SOI CMOS技術を用いた低電力LSI向け0.5V電源スキーム
- C-12-12 PD-SOI CMOSを用いたボディ入力型SCL回路の解析
- 通信用超高速GaAsデバイス技術 (特集1 ULSI次世代基盤技術)