C-10-10 5.8GHz帯ETC向けGaAsMESFETパワーアンプ
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-09-07
著者
-
長岡 正見
(株)東芝 研究開発センター
-
池田 佳子
(株)東芝研究開発センター
-
北浦 義昭
(株)東芝研究開発センターULSI研究所
-
長岡 正見
(株)東芝セミコンダクター社ディスクリート半導体事業部
-
兼田 直孝
(株)東芝セミコンダクター社ディスクリート半導体事業部
-
中川 とし江
(株)東芝セミコンダクター社ディスクリート半導体事業部
-
北浦 義昭
(株)東芝セミコンダクター社ディスクリート半導体事業部
-
池田 佳子
(株)東芝セミコンダクター社ディスクリート半導体事業部
-
池田 佳子
(株)東芝セミコンダクター社
-
北浦 義昭
(株)東芝研究開発センター
関連論文
- 高調波抑圧機能内蔵形線形電力増幅器 MMIC
- 高調波抑圧機能内蔵形線形電力増幅器MMIC
- 磁界プローブによるVRMボード表面実装パワーMOSFETの非破壊電流測定法
- 1.9GHz帯GaAs共振型SPDTスイッチIC
- 移動通信端末送信部高周波IC
- 1.9GHz移動体通信用GaAsSPDTスイッチIC
- 低電圧単一電源駆動GaAsパワーアンプ
- 低電圧・単一電源動作可能な1.9GHz帯電力増幅用WNx/WセルフアラインゲートGaAs MESFET(2) : 変調精度の評価
- 1.9GHz高調波抑圧フィルタ内蔵線形電力増幅器MMIC
- 移動体通信用1.9GHz帯パワーアンプモジュール
- 低電圧単一動作GaAsパワーアンプMMIC
- GaAs 20GHz 8ビットマルチプレクサ
- 磁界プローブによるVRMボード表面実装パワーMOSFETの非破壊電流測定法
- SC-10-2 電力付加効率の計算精度を高めたGaAsFET大信号モデル
- SC-10-2 電力付加効率の計算精度を高めたGaAs FET大信号モデル
- 3V単一電源動作5.8GHz帯パワーアンプ
- 3V単一電源動作5.8GHz帯パワーアンプ
- 3V単一電源動作5.8GHz帯パワーアンプ
- セルフアライン型GaAsMESFETの大信号モデル
- W-CDMA用Self-Aligned Gate PHEMTの高線形特性
- PHS端末用2V単一電源動作RF送受信フロントエンドIC
- PHS端末用2V単一電源動作RF送受信フロントエンドIC
- PHS端末用2V単一電源動作RF送受信フロントエンドIC
- 低電圧単電源で動作する低歪可変減衰器付PHS用パワーアンプ
- 低電圧単電源で動作する低歪可変減衰器付PHS用パワーアンプ
- 低電圧単電源で動作する低歪可変減衰器付PHS用パワーアンプ
- 低電圧動作GaAs共振型SPDTスイッチIC
- PHS用P-pocket型GaAs MESFETの低電圧下のパワー特性
- 1.9GHzダイレクトコンバージョン方式による 可変減衰器付直交変調器
- 高調波抑圧機能内蔵形線形電力増幅器MMIC
- 可変利得機能内蔵1.9GHz直交変調器モジュール
- 20GHz GaAs8ビットマルチプレクサIC
- C-10-17 5.2-5.8GHz帯WLAN向け高効率・低歪みHBTパワーアンプ(C-10.電子デバイス)
- C-10-10 5.8GHz帯ETC向けGaAsMESFETパワーアンプ
- 超小型・低価格パッケージに内蔵したPHS用正電源駆動型パワーアンプIC
- 通信用超高速GaAsデバイス技術 (特集1 ULSI次世代基盤技術)