移動体通信用1.9GHz帯パワーアンプモジュール
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
携帯電話をはじめとする移動体通信用に、小形、低コスト、高性能な1.9GHz帯パワーアンプモジュールを開発した。出力整合回路内蔵型GaAsMMICを用いたパワーアンプにおいて、モジュール外部接続用電極にLGA(Land Grid Array)構造を採用すること、モジュール基板上の受動部品として安価なチップ部品を使用し、その実装方法としてバンプ実装を適用することにより、モジュール部分を含め小形化を図り、サイズ5.6mm×7.4mm×2.0mmのモジュールを実現した。評価の結果、電源電圧2.7V単電源、周波数1.9GHzにおいて、出力電力21.9dBm、電力付加効率22.1%という特性が得られたので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-11-25
著者
-
井上 智利
(株)東芝 個別半導体事業部
-
石田 賢二
(株)東芝 研究開発センター
-
小野 直子
(株)東芝研究開発センター
-
小野 直子
株式会社東芝研究開発センター
-
高木 映児
(株)東芝研究開発センター
-
井上 智利
東芝研究開発センター
-
石田 賢二
東芝研究開発センター
-
小野 直子
東芝研究開発センター
-
高木 映児
東芝研究開発センター
-
尾林 秀一
東芝研究開発センター
-
加屋野 博幸
東芝研究開発センター
-
長岡 正見
東芝研究開発センター
-
森 三樹
東芝研究開発センター
-
昆野 舜夫
東芝研究開発センター
-
長岡 正見
(株)東芝セミコンダクター社ディスクリート半導体事業部
-
森 三樹
(株)東芝研究開発センター
-
昆野 舜夫
株式会社東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
関連論文
- 高調波抑圧機能内蔵形線形電力増幅器 MMIC
- 高調波抑圧機能内蔵形線形電力増幅器MMIC
- 90nm CMOSによるFMCW方式レーダー送受信ICの開発(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- 5.8GHz帯低電圧駆動SiGe-HBT電力増幅器の基礎検討(ITSエレクトロニクス技術, ITS技術論文)
- C-2-43 5.8GHz帯低電圧駆動SiGe-HBT電力増幅器の特性(C-2.マイクロ波A(能動デバイス))
- SC-9-7 フリップチップ接続タイプ GaAs HEMT の高周波特性
- K帯MMICドライバ増幅器
- BCB薄膜誘電体層を持つV帯GaAsMMIC
- BCB薄膜誘電体層を持つV帯GaAs MMIC
- C-2-24 封止樹脂付きフリップチップ実装を用いたGaAs HEMTの高周波特性
- C-2-10 76GHz帯MMICゲートミクサ
- BCB薄膜誘電体層を持つV帯MMIC増幅器
- 薄膜逆マイクロストリップ線路T分岐の高周波特性
- 1.9GHz帯GaAs共振型SPDTスイッチIC
- 移動通信端末送信部高周波IC
- 1.9GHz移動体通信用GaAsSPDTスイッチIC
- 低電圧単一電源駆動GaAsパワーアンプ
- 低電圧・単一電源動作可能な1.9GHz帯電力増幅用WNx/WセルフアラインゲートGaAs MESFET(2) : 変調精度の評価
- 1.9GHz高調波抑圧フィルタ内蔵線形電力増幅器MMIC
- 素子間干渉抑制GND付セルを用いたMMIC設計手法
- 移動体通信用1.9GHz帯パワーアンプモジュール
- 低電圧単一動作GaAsパワーアンプMMIC
- GaAs 20GHz 8ビットマルチプレクサ
- 2008年ヨーロッパマイクロ波会議出席報告(学生発表会/一般)
- CK-2-1 ミリ波CMOS増幅器(CK-2.ミリ波実用化に向けたデバイス・回路・システム技術の現状と将来,ソサイエティ特別企画,ソサイエティ企画)
- CK-2-1 ミリ波CMOS増幅器(CK-2.ミリ波実用化に向けたデバイス・回路・システム技術の現状と将来,ソサイエティ企画)
- C-2-29 プリント基板実装60GHz帯CMOS受信ICの評価(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- BCB薄膜誘電体層を持つ60GHz帯MMIC増幅器 (特集 先端半導体デバイス技術)
- スマートアンテナ用移相回路付きダウンコンバータIC
- 電波散乱体を用いたフィールドシミュレータ
- 受動チップ部品の実装方式による高周波特性比較
- K帯MMICドライバ増幅器
- BCB薄膜誘電体層を持つV帯GaAs MMIC
- 移動体通信端末用電力増幅器モジュール開発におけるマイクロ波シミュレータの活用
- 移動体通信端末用電力増幅器モジュール開発におけるマイクロ波シミュレータの活用
- 60GHz帯ドレインミクサの最適バイアス点と低LO電力化の検討
- 60GHz帯ドレインミクサの最適バイアス点と低LO電力化の検討
- 60GHz帯ドレインミクサの最適バイアス点と低LO電力化の検討
- 60GHz帯MMICドレインミクサ
- 3V単一電源動作5.8GHz帯パワーアンプ
- 3V単一電源動作5.8GHz帯パワーアンプ
- 3V単一電源動作5.8GHz帯パワーアンプ
- W-CDMA用Self-Aligned Gate PHEMTの高線形特性
- PHS端末用2V単一電源動作RF送受信フロントエンドIC
- PHS端末用2V単一電源動作RF送受信フロントエンドIC
- PHS端末用2V単一電源動作RF送受信フロントエンドIC
- 低電圧単電源で動作する低歪可変減衰器付PHS用パワーアンプ
- 低電圧単電源で動作する低歪可変減衰器付PHS用パワーアンプ
- 低電圧単電源で動作する低歪可変減衰器付PHS用パワーアンプ
- 低電圧動作GaAs共振型SPDTスイッチIC
- PHS用P-pocket型GaAs MESFETの低電圧下のパワー特性
- 学術奨励賞受賞記
- BCB薄膜誘電体層を持つV帯MMIC増幅器
- BCB薄膜誘電体層を持つV帯MMIC増幅器
- 高調波抑圧機能内蔵形線形電力増幅器MMIC
- 90nm CMOSによるFMCW方式レーダー送受信ICの開発(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- 可変利得機能内蔵1.9GHz直交変調器モジュール
- C-10-17 5.2-5.8GHz帯WLAN向け高効率・低歪みHBTパワーアンプ(C-10.電子デバイス)
- C-10-10 5.8GHz帯ETC向けGaAsMESFETパワーアンプ
- 超小型・低価格パッケージに内蔵したPHS用正電源駆動型パワーアンプIC
- 1)高出力CATV用IC増幅器(無線技術研究会(第58回))
- (2)CATV用IC化幹線分岐増幅器(テレビジョン無線技術研究会(第39回))
- 高周波メタルパッケージの空洞共振周波数に対する仕切板の効果