5.8GHz帯低電圧駆動SiGe-HBT電力増幅器の基礎検討(ITSエレクトロニクス技術, <特集>ITS技術論文)
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概要
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5.8GHz帯電力増幅器(PA)に, Si系デバイスを用い, 更に低電圧駆動化を実現した.従来5.8GHz帯を利用するDSRCシステム用PAには, GaAs系デバイスを用いていたが, 高コストであることから, Si系デバイスへの置換えが進んでいる.しかし, Si系デバイスは, 耐圧がGaAs系デバイスより低く, また将来的に電池駆動の可能性及び他ロジックICと電源共通化を想定した場合, 低電圧駆動化が必要となる.このとき, PAが線形増幅できる出力電力は低下し, ひずみが生じやすくなる.本論文では, 低電圧駆動PAの出力信号ひずみ低減のために, 波形成形フィルタとPAの協調設計を行った.ディジタル信号の波形成形フィルタにガウスフィルタを用い, PAの入出力インピーダンスと波形整形フィルタのBT積を最適化することで, 低電圧駆動SiGe-HBT PAの開発に成功した.試作したPAは, V_<cc>が1.8V, 12dBm出力時, 隣接チャネル漏えい電力-33.3dBc, 変調指数0.84と良好な値を得た.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-02-01
著者
-
小野 直子
(株)東芝 研究開発センター
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小野 直子
(株)東芝研究開発センター
-
板垣 芳夫
(株)東芝研究開発センター
-
千住 智博
(株)東芝セミコンダクター社
-
山口 恵一
(株)東芝研究開発センター
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