BCB薄膜誘電体層を持つV帯GaAs MMIC
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概要
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GaAs基板上にBCB薄膜誘電体層を設けたV帯HEMT MMICチップセットを開発した。本MMICは、回路上任意の部位の厚みを変えることが出来るBCB薄膜誘電体層を採用しているため、伝送線路として薄膜マイクロストリップ線路とコプレーナ線路の両方を使用することができる。4種のV帯MMIC(低雑音増幅器、ミクサ、電圧制御発振器、電力増幅器)を対象に、最適な伝送線路を検討し、MMICを試作した結果を報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-01-12
著者
-
小野 直子
(株)東芝 研究開発センター
-
志津木 康
(株)東芝
-
井関 裕二
(株)東芝 材料・デバイス研究所
-
小野 直子
(株)東芝研究開発センター
-
山口 恵一
(株)東芝研究開発センター
-
井関 裕二
研究開発センター
-
天野 実
(株)東芝研究開発センター
-
杉浦 政幸
(株)東芝セミコンダクター社
-
高木 映児
(株)東芝研究開発センター
-
高木 映児
東芝研究開発センター
-
井関 裕二
(株)東芝、材料・デバイス研究所
-
井関 裕二
(株)東芝 先端半導体デバイス研究所
-
志津木 康
(株)東芝情報・社会システム社
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