C-2-24 封止樹脂付きフリップチップ実装を用いたGaAs HEMTの高周波特性
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-09-07
著者
-
小野 直子
(株)東芝 研究開発センター
-
井関 裕二
(株)東芝 材料・デバイス研究所
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小野 直子
(株)東芝研究開発センター
-
井関 裕二
研究開発センター
-
平井 浩之
(株)東芝セミコンダクター社
-
井関 裕二
(株)東芝、材料・デバイス研究所
-
井関 裕二
(株)東芝 先端半導体デバイス研究所
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