BCB薄膜誘電体層を持つV帯GaAsMMIC
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
GaAs基板上にBCB薄膜誘電体層を設けたV帯HEMT MMICチップセットを開発した。本MMICは、回路上任意の部位の厚みを変えることが出来るBCB薄膜誘電体層を採用しているため、伝送線路として薄膜マイクロストリップ線路とコプレーナ線路の両方を使用することができる。4種のV帯MMIC(低雑音増幅器、ミクサ、電圧制御発振器、電力増幅器)を対象に、最適な伝送線路を検討し、MMICを試作した結果を報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-01-12
著者
-
小野 直子
(株)東芝研究開発センター
-
山口 恵一
(株)東芝研究開発センター
-
小野 直子
研究開発センター
-
山口 恵一
研究開発センター
-
井関 裕二
研究開発センター
-
天野 実
研究開発センター
-
杉浦 政幸
セミコンダクター社
-
志津木 康
情報・社会システム社
-
高木 映児
研究開発センター
-
天野 実
(株)東芝研究開発センター
-
杉浦 政幸
(株)東芝セミコンダクター社
-
高木 映児
(株)東芝研究開発センター
-
高木 映児
東芝研究開発センター
-
井関 裕二
(株)東芝、材料・デバイス研究所
-
志津木 康
(株)東芝情報・社会システム社
関連論文
- 招待講演 MRAMの最新動向とクランプ参照方式と最適参照方式を搭載した64メガビットMRAM (集積回路)
- 高調波抑圧機能内蔵形線形電力増幅器 MMIC
- 高調波抑圧機能内蔵形線形電力増幅器MMIC
- ダイレクトコンバージョン受信モジュールのAGC動作特性
- 1.9GHz帯ダイレクトコンバージョン受信機
- 90nm CMOSによるFMCW方式レーダー送受信ICの開発(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- 1.9GHz帯ダイレクトコンバージョン用シンセサイザ
- 1.9GHz 帯 シンセサイザモジュール
- 1.9GHz 帯ダイレクトコンバージョン受信モジュール
- 5.8GHz帯低電圧駆動SiGe-HBT電力増幅器の基礎検討(ITSエレクトロニクス技術, ITS技術論文)
- C-2-43 5.8GHz帯低電圧駆動SiGe-HBT電力増幅器の特性(C-2.マイクロ波A(能動デバイス))
- SC-9-7 フリップチップ接続タイプ GaAs HEMT の高周波特性
- K帯MMICドライバ増幅器
- BCB薄膜誘電体層を持つV帯GaAsMMIC
- BCB薄膜誘電体層を持つV帯GaAs MMIC
- C-2-24 封止樹脂付きフリップチップ実装を用いたGaAs HEMTの高周波特性
- C-2-10 76GHz帯MMICゲートミクサ
- BCB薄膜誘電体層を持つV帯MMIC増幅器
- 薄膜逆マイクロストリップ線路T分岐の高周波特性
- 低電圧単一電源駆動GaAsパワーアンプ
- 1.9GHz高調波抑圧フィルタ内蔵線形電力増幅器MMIC
- 移動体通信用1.9GHz帯パワーアンプモジュール
- 低電圧単一動作GaAsパワーアンプMMIC
- サブミクロンTMR素子のスイッチング磁場
- デイープサブミクロン強磁性二重トンネル接合素子
- デュアルスピンバルブタイプ強磁性二重トンネル接合の熱処理による特性変化
- MRAM用強磁性二重トンネル接合の性能と将来性
- MRAM用低抵抗強磁性二重トンネル接合素子
- 二重トンネル接合強磁性中間層のスイッチング特性
- CK-2-1 ミリ波CMOS増幅器(CK-2.ミリ波実用化に向けたデバイス・回路・システム技術の現状と将来,ソサイエティ特別企画,ソサイエティ企画)
- CK-2-1 ミリ波CMOS増幅器(CK-2.ミリ波実用化に向けたデバイス・回路・システム技術の現状と将来,ソサイエティ企画)
- B-17-6 直交変調器および直交復調器の誤差推定方法のEVM特性評価(B-17. ソフトウェア無線,一般セッション)
- C-2-29 プリント基板実装60GHz帯CMOS受信ICの評価(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- C-2-23 直交変調器および直交復調器の誤差推定方法のハードウェア検証(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- 高耐熱 Ni_xFe_/Al-oxide/Ta フリー層を用いた強磁性トンネル接合の磁化反転特性
- バンプ実装による超小型移動通信モジュール
- BCB薄膜誘電体層を持つ60GHz帯MMIC増幅器 (特集 先端半導体デバイス技術)
- 垂直磁化方式を用いたスピン注入磁化反転によるMRAMスケーラビリティの展望(信号処理および一般)
- 垂直磁化方式を用いたスピン注入磁化反転によるMRAMスケーラビリティの展望(信号処理及び一般)
- MRAM : 開発の最前線
- B-5-82 EER型PAのデジタルプレディストーションによる歪補償(B-5.無線通信システムA(移動通信),一般セッション)
- B-5-85 固定係数を用いた簡易DPDにおける電力増幅器の温度特性の影響(B-5.無線通信システムA(移動通信),一般セッション)
- B-5-80 直交変調器および直交復調器の誤差推定方法における雑音の影響(B-5.無線通信システムA(移動通信),一般講演)
- 直交変復調器誤差推定方法の検討 : 誤差推定用可変移相器の誤差を考慮した推定アルゴリズム(ブロードバンド無線アクセス技術,無線信号処理,無線通信,一般)
- 直交変復調器誤差推定方法の検討 : 誤差推定用可変移相器の誤差を考慮した推定アルゴリズム(ブロードバンド無線アクセス技術,無線信号処理,無線通信,一般)
- 直交変調器及び直交復調器の誤差推定方法の収束特性に関する検討(コグニティブ無線,パネル討論,一般)
- C-2-32 直交変調器および直交復調器の誤差推定方法の検討(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),エレクトロニクス1,一般講演,2006年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会)
- 直交変調器及び直交復調器の誤差推定方法に関する一検討(無線通信一般)
- C-2-17 無線LAN用SiGe直列ダイオードプレディストータの線形化効果の実験的検証(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
- バンプ実装による超小型移動通信モジュール
- 受動チップ部品の実装方式による高周波特性比較
- MRAMの最新動向とクランプ参照方式と最適参照方式を搭載した64メガビットMRAM(新材料メモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- B-17-5 マルチモード端末用小型ドハティアンプモジュール(B-17.ソフトウェア無線,一般講演)
- 携帯無線端末向けマルチモード小型ドハティ電力増幅器
- C-2-8 W-CDMA端末用ドハティアンプモジュールの高利得化(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- K帯MMICドライバ増幅器
- BCB薄膜誘電体層を持つV帯GaAs MMIC
- 移動体通信端末用電力増幅器モジュール開発におけるマイクロ波シミュレータの活用
- 移動体通信端末用電力増幅器モジュール開発におけるマイクロ波シミュレータの活用
- 60GHz帯ドレインミクサの最適バイアス点と低LO電力化の検討
- 60GHz帯ドレインミクサの最適バイアス点と低LO電力化の検討
- 60GHz帯ドレインミクサの最適バイアス点と低LO電力化の検討
- 60GHz帯MMICドレインミクサ
- BCB薄膜誘電体層を持つV帯MMIC増幅器
- BCB薄膜誘電体層を持つV帯MMIC増幅器
- 高調波抑圧機能内蔵形線形電力増幅器MMIC
- デュアルスピンバルブタイプ強磁性二重トンネル接合の熱処理による特性変化
- 自己バイアス型12/24GHz周波数逓倍器MMIC
- B-17-17 広帯域信号における直交変復調器の誤差推定方法の特性評価(B-17.ソフトウェア無線,一般セッション)
- C-2-12 ET-PAとEER-PAの送信機仕様の検討(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 高周波メタルパッケージの空洞共振周波数に対する仕切板の効果
- TbCoFe/CoFeB垂直磁化膜を用いたMRAM素子におけるスピン注入磁化反転の実証(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))
- C-2-12 800MHz帯小型電力増幅器モジュール(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-13 局発アンプ内蔵K帯ダイオード偶高調波ミキサMMIC
- B-5-144 多合成ドハティ型増幅器に対するメモリ歪み補償技術の開発(B-5.無線通信システムB(無線アクセスネットワーク),一般セッション)
- B-5-105 OFDM信号の帯域外歪み測定におけるスペクトラムアナライザ検波モードの影響(B-5.無線通信システムA(移動通信))