BCB薄膜誘電体層を持つV帯MMIC増幅器
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概要
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GaAs基板上にBCB薄膜誘電体層を持つV帯HEMT MMIC増幅器を開発した。本MMICは、BCB薄膜誘電体層を採用しているため、伝送線路として薄膜マイクロストリップ線路とコプラナ・ウエーブガイドの両方を使用することができた。従って、回路レイアウト設計の自由度が広がり、小形、高性能のMMICを実現できた。ここでは、従来のBCB薄膜誘電体層を持たないMMICの構造と、新しいBCB薄膜誘電体層を持つMMICの構造とを、伝送線路、HEMT、MMIC増幅器の項目で比較、検討した。その結果、BCB薄膜誘電体層を持つMMICの構造が有用であることを確認した。開発したMMIC増幅器は、サイズが1.1mm×1.55mm、59.5GHzでの利得が15.8dBである。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-01-21
著者
-
小野 直子
(株)東芝 研究開発センター
-
吉原 邦夫
(株)東芝 材料・デバイス研究所
-
小野 直子
(株)東芝研究開発センター
-
天野 実
(株)東芝研究開発センター
-
高木 映児
(株)東芝研究開発センター
-
渕田 裕美
(株)東芝マイクロ波事業開発部
-
小野村 純子
(株)東芝研究開発センター
-
栗山 保彦
(株)東芝研究開発センター
-
昆野 舜夫
(株)東芝研究開発センター
-
高木 映児
東芝研究開発センター
-
昆野 舜夫
株式会社東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
-
昆野 舜夫
(株)東芝 先端半導体デバイス研究所
-
栗山 保彦
株式会社東芝 セミコンダクター社 ディスクリート半導体開発部
-
栗山 保彦
(株)東芝セミコンダクター社
-
小野村 純子
(株)東芝材料・デバイス研究所
-
吉原 邦夫
(株)東芝研究開発センター
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