エミッタ電極からの熱伝導を利用したAlGaAs/GaAsパワーHBTの特性
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概要
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GaAs HBTは高電力密度が期待され、パワー素子応用が盛んに検討されている。パワー素子では熱抵抗を下げ、エミッタフィンガー間の温度分布を均一にすることが重要課題となる。今回我々はエミッタ電極からの熱伝導に着目し、レイアウトの最適化を行った。その結果、熱抵抗を低減し、フィンガー間の温度分布の均一性に優れる構造を実現した。これにより、パワー特性において高電力密度を得たので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
著者
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杉山 亨
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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本郷 禎人
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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森塚 宏平
(株)東芝材料・デバイス研究所
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小野村 純子
(株)東芝材料・デバイス研究所
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杉山 亨
(株)東芝材料・デバイス研究所
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