バンプ接続したMMICの共振現象
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
回路の高周波化, 小型化の要求に応え, MMICの実装方式としてバンプ接続を用いたフリップチップ実装技術が有望視されている。しかし, バンプ接続に於いては, 実装基板のGNDとMMICのGNDが空間的に分離しているため, 共振などによる電気特性の劣化が予想される。今回, バンプ接続されたMMICが実装基板との間で不要共振を起こす事を電磁界解析及び模擬チップによる実験で確認したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
志津木 康
(株)東芝
-
昆野 舜夫
(株)東芝研究開発センター
-
昆野 舜夫
(株)東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
-
昆野 舜夫
(株)東芝材料・デバイス研究所
-
昆野 舜夫
(株)東芝 先端半導体デバイス研究所
-
志津木 康
(株)東芝材料・デバイス研究所
関連論文
- 1.9GHz帯ダイレクトコンバージョン用シンセサイザ
- 1.9GHz 帯 シンセサイザモジュール
- 1.9GHz 帯ダイレクトコンバージョン受信モジュール
- BCB薄膜誘電体層を持つV帯GaAs MMIC
- BCB薄膜誘電体層を持つV帯MMIC増幅器
- 薄膜逆マイクロストリップ線路T分岐の高周波特性
- 受動チップ部品の実装方式による高周波特性比較
- ピーキング調整機能付きHBT10Gb/sトランスインピーダンスアンプ
- 光インタコネクション用1.4 Gb/s x 12チャネルLDドライバIC
- BCB薄膜誘電体層を持つV帯GaAs MMIC
- 60GHz帯MMICドレインミクサ
- BCB薄膜誘電体層を持つV帯MMIC増幅器
- BCB薄膜誘電体層を持つV帯MMIC増幅器
- 可変利得機能内蔵1.9GHz直交変調器モジュール
- 薄膜伝送線路の導体損
- 梯子状地導体形コプレーナ線路(LGCL:Ladder Grounded Coplanar Line)
- 高周波メタルパッケージの空洞共振周波数に対する仕切板の効果
- 多層導体の表面インピーダンスとマイクロストリップ線路の伝送損
- 薄膜伝送線路の導体損
- バンプ接続したMMICの共振現象
- RF-MCM実装、バンプ接続と伝送線路
- C-2-13 局発アンプ内蔵K帯ダイオード偶高調波ミキサMMIC