60GHz帯MMICドレインミクサ
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-03-06
著者
-
吉原 邦夫
(株)東芝 材料・デバイス研究所
-
山口 恵一
(株)東芝研究開発センター
-
天野 実
(株)東芝研究開発センター
-
杉浦 政幸
(株)東芝セミコンダクター社
-
高木 映児
(株)東芝研究開発センター
-
小野村 純子
(株)東芝研究開発センター
-
栗山 保彦
(株)東芝研究開発センター
-
昆野 舜夫
(株)東芝研究開発センター
-
高木 映児
東芝研究開発センター
-
昆野 舜夫
株式会社東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
-
昆野 舜夫
(株)東芝 先端半導体デバイス研究所
-
栗山 保彦
株式会社東芝 セミコンダクター社 ディスクリート半導体開発部
-
栗山 保彦
(株)東芝セミコンダクター社
-
小野村 純子
(株)東芝材料・デバイス研究所
-
吉原 邦夫
(株)東芝研究開発センター
関連論文
- 招待講演 MRAMの最新動向とクランプ参照方式と最適参照方式を搭載した64メガビットMRAM (集積回路)
- 1.9GHz帯ダイレクトコンバージョン受信機
- 1.9GHz 帯 シンセサイザモジュール
- 1.9GHz 帯ダイレクトコンバージョン受信モジュール
- 5.8GHz帯低電圧駆動SiGe-HBT電力増幅器の基礎検討(ITSエレクトロニクス技術, ITS技術論文)
- C-2-43 5.8GHz帯低電圧駆動SiGe-HBT電力増幅器の特性(C-2.マイクロ波A(能動デバイス))
- K帯MMICドライバ増幅器
- BCB薄膜誘電体層を持つV帯GaAsMMIC
- BCB薄膜誘電体層を持つV帯GaAs MMIC
- C-2-10 76GHz帯MMICゲートミクサ
- BCB薄膜誘電体層を持つV帯MMIC増幅器
- 薄膜逆マイクロストリップ線路T分岐の高周波特性
- 低電圧単一電源駆動GaAsパワーアンプ
- 1.9GHz高調波抑圧フィルタ内蔵線形電力増幅器MMIC
- 移動体通信用1.9GHz帯パワーアンプモジュール
- 低電圧単一動作GaAsパワーアンプMMIC
- サブミクロンTMR素子のスイッチング磁場
- デイープサブミクロン強磁性二重トンネル接合素子
- デュアルスピンバルブタイプ強磁性二重トンネル接合の熱処理による特性変化
- MRAM用強磁性二重トンネル接合の性能と将来性
- MRAM用低抵抗強磁性二重トンネル接合素子
- 二重トンネル接合強磁性中間層のスイッチング特性
- B-17-6 直交変調器および直交復調器の誤差推定方法のEVM特性評価(B-17. ソフトウェア無線,一般セッション)
- C-2-23 直交変調器および直交復調器の誤差推定方法のハードウェア検証(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- 高耐熱 Ni_xFe_/Al-oxide/Ta フリー層を用いた強磁性トンネル接合の磁化反転特性
- BCB薄膜誘電体層を持つ60GHz帯MMIC増幅器 (特集 先端半導体デバイス技術)
- 垂直磁化方式を用いたスピン注入磁化反転によるMRAMスケーラビリティの展望(信号処理および一般)
- 垂直磁化方式を用いたスピン注入磁化反転によるMRAMスケーラビリティの展望(信号処理及び一般)
- MRAM : 開発の最前線
- サーマルビアを用いたMCM放熱法の検討
- B-5-82 EER型PAのデジタルプレディストーションによる歪補償(B-5.無線通信システムA(移動通信),一般セッション)
- B-5-85 固定係数を用いた簡易DPDにおける電力増幅器の温度特性の影響(B-5.無線通信システムA(移動通信),一般セッション)
- B-5-80 直交変調器および直交復調器の誤差推定方法における雑音の影響(B-5.無線通信システムA(移動通信),一般講演)
- 直交変復調器誤差推定方法の検討 : 誤差推定用可変移相器の誤差を考慮した推定アルゴリズム(ブロードバンド無線アクセス技術,無線信号処理,無線通信,一般)
- 直交変復調器誤差推定方法の検討 : 誤差推定用可変移相器の誤差を考慮した推定アルゴリズム(ブロードバンド無線アクセス技術,無線信号処理,無線通信,一般)
- 直交変調器及び直交復調器の誤差推定方法の収束特性に関する検討(コグニティブ無線,パネル討論,一般)
- C-2-32 直交変調器および直交復調器の誤差推定方法の検討(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),エレクトロニクス1,一般講演,2006年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会)
- 直交変調器及び直交復調器の誤差推定方法に関する一検討(無線通信一般)
- C-2-17 無線LAN用SiGe直列ダイオードプレディストータの線形化効果の実験的検証(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
- 受動チップ部品の実装方式による高周波特性比較
- ピーキング調整機能付きHBT10Gb/sトランスインピーダンスアンプ
- 光インタコネクション用1.4 Gb/s x 12チャネルLDドライバIC
- MRAMの最新動向とクランプ参照方式と最適参照方式を搭載した64メガビットMRAM(新材料メモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- B-17-5 マルチモード端末用小型ドハティアンプモジュール(B-17.ソフトウェア無線,一般講演)
- 携帯無線端末向けマルチモード小型ドハティ電力増幅器
- C-2-8 W-CDMA端末用ドハティアンプモジュールの高利得化(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- K帯MMICドライバ増幅器
- BCB薄膜誘電体層を持つV帯GaAs MMIC
- 移動体通信端末用電力増幅器モジュール開発におけるマイクロ波シミュレータの活用
- 移動体通信端末用電力増幅器モジュール開発におけるマイクロ波シミュレータの活用
- 60GHz帯ドレインミクサの最適バイアス点と低LO電力化の検討
- 60GHz帯ドレインミクサの最適バイアス点と低LO電力化の検討
- 60GHz帯ドレインミクサの最適バイアス点と低LO電力化の検討
- 60GHz帯MMICドレインミクサ
- BCB薄膜誘電体層を持つV帯MMIC増幅器
- BCB薄膜誘電体層を持つV帯MMIC増幅器
- 可変利得機能内蔵1.9GHz直交変調器モジュール
- デュアルスピンバルブタイプ強磁性二重トンネル接合の熱処理による特性変化
- ミリ波広帯域HBT-VCO
- 薄膜伝送線路の導体損
- 梯子状地導体形コプレーナ線路(LGCL:Ladder Grounded Coplanar Line)
- B-17-17 広帯域信号における直交変復調器の誤差推定方法の特性評価(B-17.ソフトウェア無線,一般セッション)
- C-2-12 ET-PAとEER-PAの送信機仕様の検討(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 高周波メタルパッケージの空洞共振周波数に対する仕切板の効果
- TbCoFe/CoFeB垂直磁化膜を用いたMRAM素子におけるスピン注入磁化反転の実証(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))
- 多層導体の表面インピーダンスとマイクロストリップ線路の伝送損
- 薄膜伝送線路の導体損
- バンプ接続したMMICの共振現象
- 高速高密度コネクタの等価回路モデル
- C-2-12 800MHz帯小型電力増幅器モジュール(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- エミッタ電極からの熱伝導を利用したAlGaAs/GaAsパワーHBTの特性
- B-5-144 多合成ドハティ型増幅器に対するメモリ歪み補償技術の開発(B-5.無線通信システムB(無線アクセスネットワーク),一般セッション)
- GaAsHBTの素子温度を考慮したSPICEモデル
- B-5-105 OFDM信号の帯域外歪み測定におけるスペクトラムアナライザ検波モードの影響(B-5.無線通信システムA(移動通信))