垂直磁化方式を用いたスピン注入磁化反転によるMRAMスケーラビリティの展望(信号処理および一般)
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概要
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ギガビット級大容量MRAMを実現するには、小さな書き込み電流I_cと十分な熱擾乱指数ΔE_αを両立させることが必要である。垂直磁化方式を用いたスピン注入型MRAMは、従来の面内磁化方式と比べて、微細化しても大きなΔE_αと小さなI_cを実現することが可能な技術である。本研究では、垂直磁化MRAMのスピン注入反転電流の素子直径依存性を、マイクロマグネティックスシミュレーションにより計算し、素子サイズが小さくなるとともに、スピン注入反転の効率I_c/ΔE_αが小さくなることを明らかにした。この結果は、垂直磁化を用いたスピン注入式MRAMが本質的に良好なスケーラビリティを持つことを示している。
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 2008-12-11
著者
-
天野 実
(株)東芝研究開発センター
-
中山 昌彦
(株)東芝研究開発センター
-
岸 達也
(株)東芝・研究開発センター
-
與田 博明
(株)東芝 研究開発センター
-
池川 純夫
(株)東芝研究開発センター
-
與田 博明
(株)東芝
-
甲斐 正
(株)東芝研究開発センター
-
相川 尚徳
(株)東芝研究開発センター
-
小瀬木 淳一
(株)東芝研究開発センター
-
西山 勝哉
(株)東芝研究開発センター
-
永瀬 俊彦
(株)東芝研究開発センター
-
岸 達也
(株)東芝研究開発センター
-
池川 純夫
(株)東芝 基礎研究所
-
天野 実
東芝
-
池川 純夫
東芝研究開発センター
-
與田 博明
東芝 研開セ
-
永瀬 俊彦
(株)東芝 研究開発センター
-
甲斐 正
(株)東芝 研究開発センター
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