Co(0001)表面-強磁性探針間の真空スピントンネル

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2000-09-01

著者

• 田中 国義

  (株)東芝研究開発センター

• 田中 国義

  (株)東芝 基礎研

• 岸 達也

  (株)東芝・研究開発センター

• 岸 達也

  (株)東芝研究開発センター

• 奥野 志保

  (株)東芝研究開発センター

関連論文

• 招待講演 MRAMの最新動向とクランプ参照方式と最適参照方式を搭載した64メガビットMRAM (集積回路)
• [特別招待講演]MRAMの高性能化とその課題(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)
• サブミクロンTMR素子のスイッチング磁場
• デイープサブミクロン強磁性二重トンネル接合素子
• MRAM用強磁性二重トンネル接合の性能と将来性
• スピン走査トンネル顕微鏡によるナノメートルスケール磁化状態評価
• 垂直磁化方式を用いたスピン注入磁化反転によるMRAMスケーラビリティの展望(信号処理および一般)
• 垂直磁化方式を用いたスピン注入磁化反転によるMRAMスケーラビリティの展望(信号処理及び一般)
• MRAM : 開発の最前線
• 熱アシスト磁気記録のための交換結合二層媒体(光記録及び一般)
• ナノスケールの磁化分析を可能にするスピン走査トンネル顕微鏡 (特集1 ナノテクノロジー--幅広い分野をけん引する次世代材料デバイス技術)
• 27pYB-4 Co薄膜のスピン偏極電子状態
• Co(0001)表面-強磁性探針間の真空スピントンネル
• Co表面に対するスピンSTMの理論的解析
• ダブルバイアス法によるスピン偏極STM
• 25aYQ-8 Co表面の探針近傍におけるスピン偏極電子状態
• 二重強磁性トンネル接合における電気伝導とTMR
• 28p-J-13 二重強磁性トンネル接合における磁気抵抗
• 二重強磁性トンネル接合における電気伝導
• GaAs探針からのスピン偏極トンネルの観察と円偏光応答像
• 1p-W-4 強磁性トンネル接合における磁気抵抗比の特性
• 強磁性トンネル接合における磁気抵抗
• 7a-YG-3 強磁性トンネル接合の理論 : 磁気抵抗のバイアス特性
• 強磁性トンネル接合・二重強磁性トンネル接合における透過率 (多層膜・人工格子・グラニューラー)
• 29a-WB-1 強磁性トンネル接合における伝導特性
• Transfer matrix法による強磁性トンネル接合の解析
• 強磁性トンネル接合・二重強磁性トンネル接合における透過率
• 26a-YJ-3 円偏光励起GaAs探針による強磁性体表面のSTM観察
• 1p-W-3 円偏光励起によるスピン偏極トンネリングの観察III
• 7a-YG-9 円偏光励起によるスピン偏極トンネリングの観察II
• 29a-WB-2 円偏光励起によるスピン偏極トンネリングの観察
• 1p-W-1 Fe/Au/Fe積層膜のホットエレクトロン伝導(IV)
• ホットエレクトロンが示すGMR効果
• 7a-YG-2 Fe/Au/Fe積層膜のホットエレクトロン伝導(III)
• 29a-WB-7 Fe/Au/Fe積層膜のホットエレクトロン伝導(II)
• Fe/Au/Fe積層膜のホットエレクトロン伝導
• [招待論文]Cu添加によるFePt規則合金のfcc-fct転移温度低減(垂直記録,一般)
• 原子間力顕微鏡を用いたけい酸エステルとオゾンの科学気相堆積プロセスの分析
• MRAMの最新動向とクランプ参照方式と最適参照方式を搭載した64メガビットMRAM(新材料メモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• 2a-T-6 高温STMの開発とその超高真空中での金属表面観察
• TbCoFe/CoFeB垂直磁化膜を用いたMRAM素子におけるスピン注入磁化反転の実証(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))
• 強磁性トンネル接合における磁気抵抗:バイアス電圧依存性および障壁高さ依存性

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク