強磁性トンネル接合における磁気抵抗:バイアス電圧依存性および障壁高さ依存性
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概要
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The transport properties of ferromagnetic tunnel junctions are investigated. The tunneling currents are calculated on the basis of a Tsu-Esaki-type equation that is extended to a spin-polarized system. The tunnel magneto-resistance decreases with increasing bias voltage, because of the energy dependence of the spin-dependent transmission coefficients. Junctions with different barrier widths show a similar decrease in the tunnel magnetoresistance. The tunnel magnetoregistance as a function of the barrier height increases for a lower barrier height, whereas, it oscillates for a negative barrier height.
- 社団法人日本磁気学会の論文
- 1998-07-01
著者
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