二重強磁性トンネル接合における電気伝導とTMR
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
The transport properties and tunnel magnetoresistance (TMR) of ferromagnetic tunnel junctions with double barriers are investigated in the free-electron approximation. Tunnel currents are calculated on the basis of a Tsu-Esaki-type equation using exact transmission coefficients for the double junctions. Enhancement and oscillation of the tunnnel magnetoresistance occre as a function of the bias voltage. It is shown that these can be attributed to spin-dependent resonant tunneling through resonant states formed in the quantum well.
- 社団法人日本磁気学会の論文
- 1999-04-15
著者
-
猪俣 浩一郎
(株)東芝研究開発センター
-
猪俣 浩一郎
(株)東芝 基礎研究所
-
岸 達也
(株)東芝・研究開発センター
-
猪俣 浩一郎
(株)東芝基礎研究所
-
岸 達也
(株)東芝研究開発センター
-
猪俣 浩一郎
東芝
-
猪俣 浩一郎
東芝 基礎研
関連論文
- 招待講演 MRAMの最新動向とクランプ参照方式と最適参照方式を搭載した64メガビットMRAM (集積回路)
- CoFeB/MgO/CoFeBトンネル接合におけるスピン注入磁化反転に対する困難軸方向磁場の影響(スピンエレクトロニクス)
- [特別招待講演]MRAMの高性能化とその課題(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)
- サブミクロンTMR素子のスイッチング磁場
- デイープサブミクロン強磁性二重トンネル接合素子
- デュアルスピンバルブタイプ強磁性二重トンネル接合の熱処理による特性変化
- MRAM用強磁性二重トンネル接合の性能と将来性
- 強磁性ナノ粒子層を介した二重トンネル接合のTMR
- 強磁性一重および二重トンネル接合のTMR
- 強磁性ナノ粒子を用いた二重トンネル接合のTMR
- 強磁性ナノ粒子を介したスピン依存トンネル
- Sm-Fe-N系エアロゾル・デポジション厚膜の面直方向異方性化
- Co基ハーフメタルホイスラー合金の構造とトンネル磁気抵抗効果
- フルホイスラーCo_2FeAl_Si_合金を有する強磁性トンネル接合の素子構造とトンネル磁気抵抗効果
- MRAM開発の最新動向 (特集 機能性セラミックス関連材料の現在と今後)
- プラズマ酸化法により作製したCoフェライト薄膜の構造と磁気特性
- Co基フルホイスラー合金を用いた強磁性トンネル接合の磁気抵抗効果
- プラズマ酸化法により作製したCoフェライト膜の構造, 磁気およびバリア特性
- MRAM開発の現状と将来 (特集 磁気ストレージ・メモリ分野における磁性材料のナノ革新)
- エアロゾル・デポジション法により作製したFe/Ni-Zn-Cuフェライト複合膜における組成制御と電磁ノイズ抑制効果
- L2_1構造を持つCo_2CrGaフルホイスラー合金薄膜の作製とそれを用いた強磁性トンネル接合素子のトンネル磁気抵抗
- MgO基板上に作製したCo_2V_Fe_Al薄膜の構造と磁性およびトンネル磁気抵抗(薄膜)
- 不規則構造を有するCo_2(Cr_Fe_x)Alを用いた強磁性トンネル接合のTMR特性(薄膜)
- 不規則構造を有するCo_2(Cr_Fe_x)Alフルホイスラー合金を用いた強磁性トンネル接合の磁気抵抗効果
- Co基フルホイスラー合金を用いたMTJのTMR特性
- スピン走査トンネル顕微鏡によるナノメートルスケール磁化状態評価
- 垂直磁化方式を用いたスピン注入磁化反転によるMRAMスケーラビリティの展望(信号処理および一般)
- 垂直磁化方式を用いたスピン注入磁化反転によるMRAMスケーラビリティの展望(信号処理及び一般)
- MRAM : 開発の最前線
- 熱アシスト磁気記録のための交換結合二層媒体(光記録及び一般)
- 強磁性ナノ粒子と強磁性電極間のスピン依存トンネル
- ナノスケールの磁化分析を可能にするスピン走査トンネル顕微鏡 (特集1 ナノテクノロジー--幅広い分野をけん引する次世代材料デバイス技術)
- 27pYB-4 Co薄膜のスピン偏極電子状態
- Co(0001)表面-強磁性探針間の真空スピントンネル
- Co表面に対するスピンSTMの理論的解析
- ダブルバイアス法によるスピン偏極STM
- 25aYQ-8 Co表面の探針近傍におけるスピン偏極電子状態
- 二重強磁性トンネル接合における電気伝導とTMR
- 28p-J-13 二重強磁性トンネル接合における磁気抵抗
- 二重強磁性トンネル接合における電気伝導
- GaAs探針からのスピン偏極トンネルの観察と円偏光応答像
- 1p-W-4 強磁性トンネル接合における磁気抵抗比の特性
- 強磁性トンネル接合における磁気抵抗
- 7a-YG-3 強磁性トンネル接合の理論 : 磁気抵抗のバイアス特性
- 強磁性トンネル接合・二重強磁性トンネル接合における透過率 (多層膜・人工格子・グラニューラー)
- 29a-WB-1 強磁性トンネル接合における伝導特性
- Transfer matrix法による強磁性トンネル接合の解析
- 強磁性トンネル接合・二重強磁性トンネル接合における透過率
- スピントンネル接合のMRAMへの応用開発動向と将来展望 (特集 スピントンネルMRとその応用動向)
- 強磁性ナノ粒子を介したスピン依存トンネル
- 26a-YJ-3 円偏光励起GaAs探針による強磁性体表面のSTM観察
- 1p-W-3 円偏光励起によるスピン偏極トンネリングの観察III
- 7a-YG-9 円偏光励起によるスピン偏極トンネリングの観察II
- 29a-WB-2 円偏光励起によるスピン偏極トンネリングの観察
- 2つの非磁性金属層を介した層間結合
- Fe/AuおよびFe/Cr人工格子膜における層間結合のFe厚依存性
- 29a-PS-21 Fe/Au系膜の層間交換相互作用に見られる量子干渉効果
- 2a-H-2 アモルファス化されたスピネルフェライトのスピングラス特性
- 強磁性スピントンネル接合
- スピンエレクトロニクスの展開
- ハイブリッド型トンネル接合
- 金属人工格子/磁性薄膜のフロンテイア
- 巨大磁気抵抗効果材料の開発動向とセンサ応用
- 金属磁性人工格子の巨大磁気抵抗効果のメカニズム
- 28a-PS-45 補助磁性層による磁性人工格子膜の飽和磁界低減に関する理論的研究
- [招待論文]Cu添加によるFePt規則合金のfcc-fct転移温度低減(垂直記録,一般)
- MRAMの最新動向とクランプ参照方式と最適参照方式を搭載した64メガビットMRAM(新材料メモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 3p-YA-18 Fe/Si多層膜の温度に依存した交換結合
- 衝撃成形法による希土類 : アルミニウム系混合磁性多結晶体の作成と熱的・磁気的性質(衝撃小特集)
- TMRのMRAM応用研究の現状と課題
- 先進磁性材料の基礎および応用研究
- 人工格子の強磁性共鳴と層間交換結合
- TbCoFe/CoFeB垂直磁化膜を用いたMRAM素子におけるスピン注入磁化反転の実証(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))
- 強磁性トンネル接合における磁気抵抗:バイアス電圧依存性および障壁高さ依存性
- 金属超格子のGMRとスピン依存伝導
- 複合非磁性層を介する磁性人工格子の層間磁気結合
- ナノグラニュラー層を中間層に持つ強磁性二重トンネル接合におけるコンダクタンスの揺らぎ
- 22pWA-15 強磁性ナノ粒子を介したスピン依存共鳴トンネル効果の観測
- ハイブリッド型トンネル接合のMR
- 強磁性トンネル接合のGMR
- スピンエレクトロニクスの基礎と応用II : 2. トンネル磁気抵抗効果
- スピンエレクトロニクスの基礎と応用I : 1. 巨大磁気抵抗材料・デバイス
- 高キュリー点型Nd-Fe-B系磁石
- スピンエレクトロニクスの基礎と応用III : 3. スピントランスファトルクとその応用
- スピンエレクトロニクスの基礎と応用IV : 4. ハーフメタルとその強磁性トンネル接合への応用
- MgO界面によるCo_2FeAlホイスラー合金薄膜の垂直磁化
- 過去そして未来へ