岸 達也 | (株)東芝・研究開発センター
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概要
関連著者
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岸 達也
(株)東芝・研究開発センター
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岸 達也
(株)東芝研究開発センター
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(株)東芝研究開発センター
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岸 達也
(株)東芝基礎研究所
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吉川 将寿
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(株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
著作論文
- 招待講演 MRAMの最新動向とクランプ参照方式と最適参照方式を搭載した64メガビットMRAM (集積回路)
- MRAM用強磁性二重トンネル接合の性能と将来性
- スピン走査トンネル顕微鏡によるナノメートルスケール磁化状態評価
- 垂直磁化方式を用いたスピン注入磁化反転によるMRAMスケーラビリティの展望(信号処理および一般)
- 垂直磁化方式を用いたスピン注入磁化反転によるMRAMスケーラビリティの展望(信号処理及び一般)
- MRAM : 開発の最前線
- 熱アシスト磁気記録のための交換結合二層媒体(光記録及び一般)
- 27pYB-4 Co薄膜のスピン偏極電子状態
- Co(0001)表面-強磁性探針間の真空スピントンネル
- 25aYQ-8 Co表面の探針近傍におけるスピン偏極電子状態
- 二重強磁性トンネル接合における電気伝導とTMR
- 28p-J-13 二重強磁性トンネル接合における磁気抵抗
- 1p-W-4 強磁性トンネル接合における磁気抵抗比の特性
- 7a-YG-3 強磁性トンネル接合の理論 : 磁気抵抗のバイアス特性
- 強磁性トンネル接合・二重強磁性トンネル接合における透過率 (多層膜・人工格子・グラニューラー)
- 29a-WB-1 強磁性トンネル接合における伝導特性
- [招待論文]Cu添加によるFePt規則合金のfcc-fct転移温度低減(垂直記録,一般)
- MRAMの最新動向とクランプ参照方式と最適参照方式を搭載した64メガビットMRAM(新材料メモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- TbCoFe/CoFeB垂直磁化膜を用いたMRAM素子におけるスピン注入磁化反転の実証(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))
- 強磁性トンネル接合における磁気抵抗:バイアス電圧依存性および障壁高さ依存性