北川 英二 | (株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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概要
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著作論文
- TbCoFe/CoFeB垂直磁化膜を用いたMRAM素子におけるスピン注入磁化反転の実証(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))
- スピン注入書き込みMRAM技術の進展と、そのノーマリオフコンピューティング実現に対する効果(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))